ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Эффективная масса электрона, сильно взаимодействующего с деформацией решетки из "Теория твёрдого тела " М —масса атома, а —параметр, характеризующий величину взаимодействия. [c.238] Это выражение в точности совпадает с выражением (34.31), полученным во втором порядке теории возмущений по взаимодействию. [c.240] Если аппроксимировать потенциальную энергию взаимодействия электрона с деформационным потенциалом сферической прямоугольной ямой с радиусом Го и глубиной /о. то только при условии 2т и л12у (см. [5], 36) имеются стационарные состояния отрицательной энергии, соответствующие движению электрона в небольшом объеме. При кфО на это движение накладывается поступательное движение с квазиимпульсом Нк. При 2т иог1Н- (я/2)2 связанных состояний в яме нет — движение электрона при кфО только поступательное. [c.242] на основании расчетов Тоязавы [120] можно сделать следующие заключения. Если значение g меньше gl, то имеется только одно состояние движения электрона с малым т. е. с малым числом виртуальных фононов, сопровождающих движение электрона. Этот случай соответствует кривой 3 рис. 43. [c.242] Если значение g находится в интервале gl g g , то кроме устойчивого состояния с малым значением т. е. нелокализованного, имеется метастабильное состояние с большей энергией и большим значением которое, следовательно, является локализованным . Этот случай соответствует кривой 2 рис. 43. [c.243] Наконец, если находится в интервале 2, то состоянию с меньшей энергией соответствуют большие т. е. локализация электрона. Второе состояние с меньшим нелокализовано и является метастабильным. Состояния с 2, по-видимому, не реализуются. [c.243] При возрастании параметра неадиабатичности у большой локальной деформации начинает препятствовать кинетическая энергия движения атомов. При значениях у 5=1 кривая зависимости от l/g становится монотонной (рис. 45), следовательно, дискретное изменение состояния электрона исчезает. В этом случае нет резкой грани между локализованными и нелокализованными состояниями. [c.243] При 1 число виртуальных фононов, окружающих электрон, мало и согласно (34.73) эффективная масса электрона, взаимодействующего с фононами, мало отличается от эффективной массы т электрона проводимости. [c.243] При - с-значение 1/у. Поэтому при у = 0,1 и . массаМ превышает массу свободного электрона проводимости более чем в тысячу раз. В этом случае электрон практически неподвижен — исамолокализован- ). [c.244] Малая ширина энергетической зоны свободного электрона (большие т ), малая константа упругости р кристалла и большой параметр а, характеризующий связь электрона с деформацией решетки дают согласно (34.83) большие значения g. По-видимому, такие условия чаще реализуются для дырок и реже для электронов. [c.244] Возможность существования свободных и локализованных состояний электрона (дырки), из которых одно стабильно, а другое метастабильно и изменение их относительной роли при изменении параметров кристалла весьма важно для объяснения оптических и других свойств кристаллов, связанных с изменением состояния движения электрона (дырки). [c.244] Вернуться к основной статье