ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Рассеяние света иа поляритоиах, обусловленных оптическими колебаниями ионов из "Теория твёрдого тела " Компоненты вектора электрического момента (14.5) преобразуются при операциях симметрии кристалла как координаты X, у, г. Поэтому этот оператор отличен от нуля только для ветвей колебаний, которые относятся к неприводимым представлениям точечной группы кристалла таким же, как и координаты X, у, г. Например, для точечных групп Сг/, (табл. 5) и (табл. 6) отличный от нуля дипольный момент может быть только у колебаний, относящихся, соответственно к неприводимым представлениям Аа, Ви и 5х, 5д. [c.74] Приведенное выражение описывает поглощение света кристаллом только в том случае, когда из-за взаимодействия с другими многочисленными колебательными степенями свободы кристалла энергия оптического колебания распределяется между ними за время, значительно меньшее времени обратного превращения оптического фонона в фотон. [c.76] В область щели поляритонного спектра. Однако границы этой щели определяются частотами, Qt и О,, которые характеризуют поперечные и продольные колебания ионов без учета запаздывания взаимодействий. Полюс диэлектрической проницаемости кристалла, характеризующий положение резонансной полосы поглощения и кривую дисперсии показателя преломления, расположен также при частотах со = й/. [c.79] Когда на кристалл падает свет частоты со, соответствующий частоте инфракрасного поглощения ( в =Й/), внутри кристалла распространяется пространственно-неоднородная (затухающая) волна, не имеющая определенного значения волнового вектора. [c.79] При малых углах рассеяния ( 10°) значение к приближается к 0. поэтому в рассеянии будут участвовать поляритоны с частотой, меньшей По мере уменьшения угла рассеяния значение к и частота поляритонов уменьшаются и при к ко поляритоны практически совпадают со светом больших длин волн. Комбинационное рассеяние можно рассматривать как рассеяние в кристалле фотонов большой частоты на фотонах малой частоты. Такое рассеяние обусловлено нелинейной (по полю) природой взаимодействия (14.11). [c.80] В этих выражениях е (со) — диэлектрическая проницаемость в поляритонной области частот (без учета затухания) Воо — высокочастотный предел е(сй) — сила осциллятора фононного колебания индекс р означает, что соответствующая величина берется при значении частоты (в = сор(0), соответствующей центру линии рассеяния Ур и —групповые скорости поля )Итонов и фононов фр —угол между волновыми векторами поляритона кр и фонона кз Л — электронно-деформационный параметр [25]. [c.83] Вблизи критического угла рассеяния приближенное выражение (14.21) теряет смысл. Правильное значение а (б) в этом случае может быть получено путем более точного интегрирования контура рассеяния. Такое интегрирование проведено в работах [26, 28]. [c.84] Роль учета конечного значения групповой скорости поляритонов иллюстрируется рис. 19, на котором сплошная кривая 1 соответствует расчету, выполненному По-натом, Стрижевским и Яшкиром [26], сечения рассеяния излучения с t = 4880 А на верхней поляритонной ветви кристалла LilOg. Пунктирная кривая 2 соответствует теоретическому значению сечения рассеяния при и = 0. Точки на кривой 3 соответствуют экспериментальным значениям сечения рассеяния. [c.84] Кривая / соответствует расчетам Стрижевского с сотрудниками [2бЗ. Пунктирная кривая 2 соответствует теории, не учитывающей групповую скорость поляритонов, Точки на кривой 3 соответствуют экспериментальным значениям. [c.84] Вернуться к основной статье