ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Циклотронный резонанс на скачущих орбитах из "Основы теории металлов " При рассмотрении циклотронного резонанса и токовых состояний мы уже говорили о скачущих траекториях. Остановимся теперь на этом вопросе подробнее. [c.179] При сравнении длины волны электрона и параметров неоднородности поверхности существенной является длина волны, связанная лишь с движением электронов по нормали к поверхности. Соответствующая компонента импульса может быть сильно уменьшена, если электрон движется под малым углом к поверхности ). При этом создаются условия для зеркального отражения. [c.179] Пусть металл находится в магнитном поле, параллельном его поверхности. Тогда в нем возможны электронные траектории типа изображенных на рис. 11.1. Если угол, под которым электрон подходит к поверхности, мал, то электрон испытывает зеркальное отражение и последующий участок траектории воспроизводит предыдущий, так возникают скачущие траектории. [c.179] При перемещении по скачущей траектории движение электрона по нормали к поверхности является периодическим и, следовательно, оно квантуется. Возникают дискретные уровни, между которыми возможны переходы с поглощение.м энергии высокочастотного поля. Благодаря этому в области малых магнитных полей имеется очень своеобразный резонансный механизм поглощения энергии высокочастотного поля Хайкин, 1960 Ни, Прейндж 1967) [74, 75]. [c.179] Поскольку б с з (О / , то увеличение частоты мало способствует увеличению допустимых п, хотя, конечно, резонансные значения Н при этом растут. [c.182] Следует отметить, что поскольку электроны, движущиеся по Слачущим орбитам, все время проводят в скин-слое, то они весьма эффективны в поглощении электромагнитных волн и резонансы, связанные с цилиндрическими участками ферми-поверхности, дают заметные пики в полном поверхностном импедансе. [c.182] Вернуться к основной статье