ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Очистка полупроводниковых материалов из "Технология металлов и конструкционные материалы " Для использования элементарных полупроводников в полу-прсводниковой технике, а также для получения полупроводниковых соединений из очень чистых компонентов необходимы материалы с очень высокой степенью чистоты. Степень чистоты полупроводникового материала определяется в зависимости от того, для какой цели он предназначен. Способы очистки материала разнообразны. Ниже кратко рассмотрены наиболее часто применяемые способы очистки. [c.182] Технология процесса следующая. Лодочку загружают загрязненным полупроводниковым материалом и вводят в трубу. Затем в трубе создают нужное разрежение и подводят напряжение к спирали. Спираль расплавляет очищаемый материал, и возникает непосредственный контакт жидкой фазы с твердой. Если растворимость примесей в жидкой фазе больше, чем в твердой, то в расплавленную зону вещества будут переходить примеси нз соприкасающейся с нею твердой зоны и, следовательно, жидкая фаза будет обогащаться примесями, а затвердевшая фаза — обедняться. По мере продвижения спирали будет перемещаться и расплавленная зона вещества, оставляя после себя более чистую твердую фазу. Следовательно, по мере продвижения спирали и жидкой фазы к краю лодочки примеси также будут перемещаться к краю лодочки. Повторяя процесс несколько раз, можно примеси вытеснить к краю слитка, а остальную часть получить чистой. Действующие установки имеют несколько спиралей (для ускорения процесса) последовательно расположенных вдоль горизонтальной трубы и перемещаемых с определенной скоростью. В некоторых установках спирали неподвижны, а перемещается лодочка с полупроводниковым материалом. При такой конструкции установки уменьшается число проходов и повышается производительность. [c.183] Способ зонной очистки позволяет получать сверхчистые металлы. [c.183] Переплавка вещества в вакууме. Этот способ применяется для очистки полупроводниковых материалов от примесей, которые легко улетучиваются при расплавлении материала, например от газов. [c.183] Загрязненный материал загружают в кварцевую ампулу, выходное отверстие которой соединено с вакуумной установкой. Ампулу помещают в муфельную электрическую печь затем создают в ампуле необходимое разряжение и подают на обмотку печи напряжение. В результате температура повышается и материал начинает плавиться. Выделяющиеся при этом летучие вещества удаляются. В некоторых случаях этот способ применяют в сочетании с другими, при этом он является первой операцией технологического процесса очистки. [c.183] Открытая переплавка. Этот способ применяют для очистки полупроводниковых материалов, находящихся в виде порошка, от окислов, влаги, газов и некоторых примесей путем переплавки в электрической печи. Таким способом очищают от примесей порошкообразный теллур. Порошок насыпают в тигель, который устанавливают в электрическую печь и нагревают до температуры плавления материала. При этом окислы, если они легче основного материала, поднимаются вверх, а затем удаляются. [c.183] Вернуться к основной статье