ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электрические поля в неоднородных диэлектриках из "Физика диэлектрических материалов " С изложенными в 2-6 вопросами расчета эффективной диэлектрической проницаемости е диэлектриков, диэлектрическая проницаемость которых в различных частях их объема неодинакова, самым тесным образом связаны вопросы расчета картины электрического поля в макроскопически неоднородных диэлектриках. [c.147] Здесь и — полное напряжение , , /г,-, е, — соответственно напряженность поля, толщина ы диэлектрическая проницаемость для каждого отдельного слоя. [c.150] В частном случае прохождения силовой линии под прямым углом к поверхности раздела (случаи плоского и цилиндрического многослойных конденсаторов) а1 = = 02=0 езависимо от значений В и ег. [c.151] Рисунок 2-44,6 соответствует случаю 82 81 в этом случае имеет место разрежение силовых линий в диэлектрической среде вблизи включения и сгущение силовых линий внутри включения наоборот, при 82 ei (рис. 2-44,в) силовые линии в диэлектрической среде вблйзи включения сгущают-с я, так что наибольшая напряженность поля образуется в точках А и В, находящихся в непосредственной близости от поверхности включения, но внутри включения силовые линии разрежаются. [c.152] При весьма большом отношении =62/61 формула (2-110) дает Еа = 2Ея, т. 9. введение малого i(no отношению к расстоянию между электродами участка изоляции, в котором имелось равномерное поле с напряженностью Ео) цилиндрического диэлектрического включения с высокой диэлектрической проницаемостью способно создать удвоение напряженности в диэлектрической среде. [c.153] При весьма малом тп формула (2-111) дает Е =2Ео, т. е. значение напряженности поля внутри малого цилиндрического включения с малой диэлектрической проницаемостью может в 2 раза превысить значение Ео. [c.153] Таким образом, уединенный шар из материала с высокой диэлектрической проницаемостью способен создать увеличение напряженности поля в диэлектрической среде в полтора раза ( л = 1,5 о) а внутри шара с весьма малой диэлектрической проницаемостью по сравнению с диэлектрической проницаемостью среды напряженность поля будет в 1,5 раза превышать напряженность, имевшую место до введения шара ( =1,5 о). [c.153] Отметим также, что (2-110) и (2-112) при ег— -оо пригодны и для рассмотрения случая проводящего цилиндрического или шарового включения прн этом мы также будем иметь увеличение напряженности поля в точках А и В соответственно в 2 или 1,5 раза силовые линии будут подходить к поверхности проводящего включения перпендикулярно к поверхности раздела компонентов [см. формулу (2-108)], т. е. в направлении радиусов цилиндра или шара поле внутри проводящего включения, как это следует из основных положений электростатики, отсутствует (рис. 2-44,г), т. е. =0, что вытекает и из (2-111) и (2-113) при подстановке в них 82= 00. [c.153] В заключение настоящего параграфа поставим вопро с о том, какое значение диэлектрической проницаемости является оптимальным в тех или иных случаях. [c.156] Однако во многих случаях иметь большую емкость нежелательно например, в кабельных линиях увеличение емкости изоляции приводит к увеличению зарядного тока линии. [c.157] Наконец, как было показано (стр. 154), высокое значение 8 диэлектриков при наличии в них газовых включений способствует развитию во включениях частичных разрядов (см. также стр. 190—192). [c.157] Поэтому во многих конкретных случаях использования электроизоляционных материалов высокое значение е для них нежелательно. [c.157] Вернуться к основной статье