ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Зависимость диэлектрической проницаемости от раз15 1 личных факторов из "Физика диэлектрических материалов " Как и другие электрические параметры диэлектриков, диэлектрическая проницаемость е зависит от изменяющихся внешних факторов, каковы частота приложенного к диэлектрику напряжения, температура, давление, влажность и т. п. Эти зависимости в ряде случаев имеют весьма большое практическое значение. [c.121] Зависимость диэлектриче-СКОЙ проницаемости е от частоты для твердых неполярных диэлектриков. [c.121] Как видно из рис. 2-13, диэлектрическая проницаемость неполярных диэлектриков не зависит от частоты при изменении последней в чрезвычайно широких пределах. [c.122] для воды, для которой было найдено т порядка 10 с, величина /о должна быть порядка 10 Гц, т. е. 100 ГГц. [c.122] При повышении температуры, помимо увеличения Т в числителе формулы (2-62), уменьшается и т] в знаменателе, поэтому /о должно возрастать. Это иллюстрирует рис. 2-15. [c.122] Наличие зависимости е от частоты по аналогии с дисперсией света называют дисперсией диэлектрической проницаемости. [c.123] Как общее правило [мы не рассматриваем здесь явления так называемой резонансной поляризации, которое может вызвать появление максимумов в зависимостях е(/) при очень высоких значениях частоты] при повышении частоты может наблюдаться или практическая независимость е от частоты, или же снижение е, но не повышение е. [c.123] Гдд — температура плавления кнп температура кипения. [c.125] У полярных диэлектриков, как уже отмечалось выше, В низкотемпературной области ориентация молекул в большинстве случаев невозможна. При повышении температуры возможность ориентации диполей облегчается, что приводит к возрастанию диэлектрической проницаемости. Но при дальнейшем повышении температуры сказывается усиление хаотических тепловых колебаний молекул, что уменьшает степень упорядоченности их ориентации. Это приводит к тому, что кривая зависимости е(Г) проходит через максимум и затем снижается. Типичный пример дан на рис. 2-24 для совола. [c.126] Понятно, что выражения для ТКе и ТКС [формулы (2-68) и (2-64)] являются частными случаями общего определения температурного коэффициента [ формула (1-35)]. [c.128] Иногда, например при конструировании радиоаппаратуры, работающей в условиях изменяющейся температуры окружающей среды, требуется обеспечить практическую независимость емкости конденсатора от температуры, т. е. построить термокомпенсированный конденсатор. Для достижения температурной стабилизации емкости имеются два пути. [c.130] Первый путь — применение системы двух (или более) параллельно или же последовательно соединенных друг с другом конденсаторов, температурные коэффициенты емкости которых имеют различные знаки (один—положительный, а другой — отрицательный). [c.130] Условия (2-71) или соответственно (2-72) обеспечивают полную стабилизацию емкости при изменении температуры в том интервале, в котором ТК С1 и ТК С2 могут считаться неизменными. [c.132] Второй путь для температурной стабилизации емкости— применение лишь одного конденсатора, но со сложным диэлектриком, представляющим собой смесь двух диэлектриков, имеющих разные знаки температурного коэффициента диэлектрической шраницаемости. [c.132] К рассмотрению этого вопроса мы возвратимся в 2-6 (стр. 145—147). [c.132] Совпадающее с (2-75) выражение для РК е мы получили бы и для полярных газов, исходя из (2-53) с внесенной в него дебаевской поправкой. [c.133] Некоторое влияние оказывает давление также на е жидкостей и твердых т е л. У полярных жидкостей может наблюдаться максимум в зависимости г от давления. Так, е глицерина (температура +5°С или 278 К, частота 1 МГц при абсолютном давлении 0,1 МПа равна 49,3 при повышении давления е растет, проходит через максимум (s=53,2) при давлении 407 МПа и далее снижается, доходя при давлении 950 МПа до 33,6. Для воды в интервале давлений до 600 МПа е монотонно возрастает (рис. 2-29). [c.133] Зависимость е от влажности. У гигроскопичных диэлектриков (рассматриваются диэлектрики, е которых меньше г воды) е заметно возрастает при увлажнении. Пример дан на рис. 2-30. [c.133] Вернуться к основной статье