ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электропроводность полупроводников из "Физика диэлектрических материалов " Удельная проводимость электронных полупроводников весьма сильно зависит от различных факторов, могущих влиять на образование и рекомбинацию свободных носителей заряда (изменение температуры, воздействие лучистой энергии, изменение напряженности электрического ПОЛЯ и т. д.). Именно эта изменчивость проводимости электронных полупроводников служит причиной широкого применения этих материалов в повой технике. [c.38] Концентрация носителей тока в полупроводниках в очень сильной степени зависит от наличия примесей. При введении в четырехвалентный германий Ge или кремний Si элементов пятой группы периодической системы Д. И. Менделеева (As, Sb, Р и др.) пятый электрон внешней оболочки примеоного атома не участвует в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами Ое и ведет себя как свободный электрон в поле кристаллической решетки. При введении же элементов третьей группы (В, А1, Ga, In и др.), которые входят в Ge как примеси замещения, в соответствующем узле решетки для насыщения четырех ковалентных связей нехватает одного электрона. Отсутствие электрона в одной из этих связей соответствует появлению в решетке свободной дырки, т. е. положительного носителя тока. [c.39] Примеси, служащие поставщиком электронов и дырок в полупроводнике, называются соответственно до-норными и акцепторными примесями. При очень низких температурах примеси ионизированы слабо. Обычно при комнатной температуре все атомы примеси термически ионизированы, и в связи с этим при введении даже ничтожного количества примеси подходящего элемента резко (на несколько порядков) возрастает электронная или соответственно дырочная проводимость полупроводника. [c.39] Полупроводниковый прибор с р-я-переходом работает как выпрямитель (диод). На практике большое применение нашли также многие другие, более сложные полупроводниковые приборы, в том числе транзисторы (полупроводниковые триоды), которые состоят из двух участков га-Ое, между которыми расположен р-Ое, или, наоборот, из двух участков р-Ое, между которыми расположен п-Се. Обычно р-ге-переходы в полупроводниковых диодах и триодах получают внутри одного и того же монокристалла. [c.41] Вернуться к основной статье