ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Общие сведения о полупроводниках из "Электротехнические материалы " Как было указано в гл. 1 ( 1-1), полупроводники с точки зрения зонной теории проводимости отличаются небольшой шириной запрещенной зоны. Из общего числа химических элементов 11 обладают полупроводниковыми свойствами. В табл. 7-1 даны значения ширины запрещенной зоны полупроводниковых химических элементов. [c.315] Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости, что вызовет эффект электронной проводимости. На месте электронов, ушедших из занятой зоны, остаются свободные места — электронные дырки . Место этих дырок будут занимать другие электроны занятой зоны. Таким образом, свободное место — дырка будет перемещаться в направлении электрического поля, создавая эффект движения положительного заряда. [c.315] Бор (В). .. Углерод (С) -Кремний (51) Германий (Ое) Фосфор (Р), Мышьяк (Аз) Сурьма (5Ь). Сера (5). . . Селен (Зе).. Теллур (Те). Йод (Л). . . [c.316] Перемещение дырок осуществляется со значительно большей инерцией, чем перемещение самих электронов в зоне проводимости. Поэтому электропроводность чистых полупроводников носит в основном электронный характер эффект дырочной проводимости, эквивалентный проводимости положительными зарядами, выражен слабо. [c.316] Такая особенность приводит к исключительной чувствительности проводимости полупроводников к различным примесям. Понятие примесей здесь весьма широко речь идет не только о наличии в данном веществе атомов совершенно посторонних веществ (чужих атомов), но об избытке или недостатке атомов одного из элементов, образующих данный класс химических соединений кислорода Б окислах, углерода в карбидах, серы в сульфидах и т. п. [c.316] Рис 7-1, Влияние примесей на энергетическую диаграмму полупроводников. [c.317] Из особенностей электропроводности полупроводников вытекает ряд важных закономерностей. С увеличением температуры проводимость полупроводников увеличивается, что объясняется увеличением концентрации носителей тока, так как с увеличением температуры существенно облегчается переброс электронов из занятой зоны в незанятую зону акцепторной примеси или из занятой зоны донорной примеси в основную незанятую зону. Зависимость проводимости полупроводников от температуры может быть характеризована той же формулой, что и диэлектриков (см. (2-31)]. [c.319] То — проводимость начальная при такой напряженности, при которой электропроводность от последней не зависит р — коэффициент, зависящий от свойств полупроводника. [c.319] в — подвижность неравновесных носителей. [c.321] 7-4 Принцип действия полупроводникового выпрямителя, а—идеальный р — -переход в отсутствии внешнего напряжения (пунктиром показан запирающий слой) б — идеальный р — /г-переход заперт в — через р — -переход протекает большой прямой ток г — реальный р — -переход заперт, протекает маленький обратный ток за счет неосновных носителей. [c.322] Вернуться к основной статье