ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Получение полупроводниковых пленок с помощью газотранспортных реакций из "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры " Газотранспортными называют реакции, при которых наносимое вещество переводится в газообразное соединение, переносится к подложке и разлагается на его поверхности. [c.59] При помощи газотранспортных реакций удобно выполнять эпитаксиальное наращивание полупроводниковой пленки, когда ее структура полностью повторяет структуру поверхности подложки, на которую она осаждается, т. е. структура пленки является продолжением структуры подложки. Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки. [c.59] Если в качестве осаждаемого материала используют полупроводник р-типа, то осажденный слой получают тоже р-типа. Германий любого типа проводимости может быть осажден на подложку из Ое, ОаАз или ОаР, кремний любого типа проводимости может быть осажден на кремний, арсенид галия или фосфид галия. [c.60] Процесс осаждения можно вести двумя путями в открытой трубке, когда непрерывный поток водорода переносит пары йода с одного конца на другой, или в закрытой трубке, где газы циркулируют. [c.60] Рассмотрим процесс осаждения германия. [c.60] Подогревая поочередно источники п — Ое и р — Ое, можно получить на зародышевой подложке чередующиеся слои п и р-типа. [c.60] Аналогично может происходить выращивание слоев кремния. Кремний вступает в реакцию с парами йода при температурах 800— 950° С. Трудностью при использовании кремния является его склонность образовывать устойчивые кислородные соединения, которые приходится удалять путем восстановления водородом. [c.60] Скорость осаждения полупроводниковых слоев при эпитаксиальном наращивании примерно составляет 0,1 мк мин. [c.60] Лучшими донорными примесями (обеспечивающими проводимость в Се п-типа) является сурьма, фосфор и мышьяк. Донорные примеси легче поддаются осаждению. Лучшими акцепторными примесями в Се являются галий и бор. [c.60] Достоинство этого метода выращивания монокристаллической пленки из газовой фазы состоит в том, что процесс выращивания пленки и распределения в ней примесей протекает при относительно невысоких температурах, когда диффузионными процессами, нарушающими заданное распределение примесей, можно пренебречь. [c.60] Вернуться к основной статье