ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Применение пленок из "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры " Химическое осаждение пленок — это направление, которое конкурирует со способом вакуумного испарения, имея ряд достоинств перед ним. [c.56] Однако методы химического осаждения не столь универсальны по виду наносимых веществ. Вероятно, надо уметь правильно использовать преимущества обоих этих направлений, рационально их применять и целесообразно сочетать между собой для получения заданных результатов. Последнее особенно касается вопросов технологии интегральных микросхем. [c.56] Пленки, получаемые химическим осаждением, можно разделить на две группы 1) получаемые из паровой или газовой фазы и 2) получаемые из раствора. Из паровой или газовой фазы получают высокоомные пленки для резисторов и полупроводниковые пленки с заданным типом проводимости и структуры, из раствора — металлические покрытия на диэлектриках и фосфатные изоляционные и грунтовые пленки на металлах. [c.56] В свою очередь высокоомные резистивные пленки подразделяют на два вида — углеродистые, состоящие из углерода, и ста-натные из двуокиси олова с добавками других окислов. Оба вида этих пленок получают пиролизом. [c.56] В качестве исходных продуктов, подвергаемых пиролизу, применяют различные вещества, в том числе углеводороды, хлориды и карбонилы металлов и др. Получаемые непосредственно после разложения указанных веществ проводящие слои по составу могут быть металлоидами, металлами или оксидами [14]. [c.56] Резистивные пленки играют важную роль в работе радиоэлектронного устройства [15]. [c.56] Вернуться к основной статье