ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Вакуумные условия на подложке из "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры " Рассмотрим влияние остаточного газа в вакуумной камере на формирование пленки осаждаемого вещества на подложке. При этом будем предполагать, что все атомы вещества, достигающие подложки, конденсируются на ней и десорбции не происходит. [c.46] Чем больше скорость испарения, тем эта загрязненность будет меньше. При принятой выше небольшой скорости испарения (из расчета р = Ог мм рт. ст.) нижний предел вакуума должен быть по крайней мере 10 мм рт. ст. Тогда на шесть молекул испаряемого материала придется одна молекула остаточного газа, что во многих случаях можно допустить. [c.46] Если же применять вакуум 10 мм рт. ст., то для получения того же соотношения следует перегревать испаряемый материал с целью увеличения скорости испарения. [c.46] Например, для алюминия (см. табл. 2) должна быть принята температура при испарении 1465° С, что дает давление насыщенных паров 1 мм рт. ст. и скорость испарения 73-10 кгЫ сек. Эта скорость на два порядка выше, чем при температуре 1148° С (температура испарения при давлении насыщенных паров 10 мм рт. ст.), следовательно, соотношение молекул испаряемого материала и остаточных газов при оседании на подложке будет примерно тем же, что и при вакууме 10 мм рт. ст. [c.47] Загрязнения слоя, возникшие при поглощении конденсатом остаточных газов, являются главной причиной плохой адгезии пленки к поверхности подложки, завышенной величины удельного сопротивления, неустойчивости с течением времени и при протекании электрического тока, а также малой механической прочности слоя. Количество этих примесей, вносимых в конденсат, убывает по мере увеличения толщины пленки. Таким образом, нижняя часть пленки, непосредственно примыкающая к подложке, содержит максимальное количество газа. [c.47] Образование загрязнений может быть различным в зависимости от взаимных физико-химических свойств испаряемых веществ и остаточных азов. Главная причина удержания атомов газа в пленке чаще всего объясняется наличием валентной связи между атомами вещества и газа. Если, например, испаряемый металл или отдельные компоненты сплава способны образовывать с остаточными газами химические соединения, то часть слоя может совершенно потерять признаки металла и не проводить тока. Это говорит о недопустимости эксплуатации установок с заметным натеканием вакуумной системы, в которых для поддержания требуемого вакуума применяют насосы с высокой производительностью. Хотя формально испарение при этом происходит при требуемом вакууме, постоянный подсос атмосферных газов приводит к непрерывному поглощению их металлическим конденсатом, образующим пленку [14]. [c.47] Вернуться к основной статье