ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Влияние радиации на полупроводниковые диоды из "Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры " В результате воздействия нейтронного облучения проводимость [16] диодов в обратном направлении увеличивается, в прямом — уменьшается. [c.89] Германиевые диоды выходят из строя при потоках более 10 нейтр/см . Заметное изменение характеристик начинается при нейтронном облучении с интенсивностью 10 нейтр/см . При таких условиях облучения германиевые диоды могут работать в схемах, на работоспособности которых не сказывается существенно изменение характеристик проводимости диодов в обратном направлении [16]. [c.89] При воздействии малых доз гамма-облучения (10 Р при мощности дозы 6 10 Р/ч) обратный ток плоскостных германиевых диодов возрастает на 10%, на такую же величину уменьшается емкость р-п перехода [27], а также возникают фототоки [16]. [c.89] Через несколько дней после прекращения облучения [27] эти параметры восстанавливаются до первоначального уровня. [c.89] Под воздействием нейтронной радиации проводимость точечноконтактных диодов уменьшается в прямом и в обратном направлениях у плоскостных диодов проводимость в прямом направлении также уменьшается. В обратном направлении проводимость некоторых типов плоскостных кремниевых диодов с увеличением нейтронного потока сначала увеличивается, достигает максимума при некоторой величине потока, после чего уменьшается. [c.89] Повреждения плоскостных диодов обусловливаются, главным образом, изменением характеристик проводимости в прямом направлении. Изменения характеристик тем больше, чем больше мощность потока [16]. [c.89] Заметные изменения характеристик начинаются при нейтронном облучении потоками около 10 нейтр/см . Если изменения характеристик в прямом направлении не влияют существенно на работу схемы, кремниевые диоды могут быть использованы при облу чении нейтронными потоками нейтр/см [16]. [c.89] Воздействие гамма-облучения (мощность дозы 10 Р/ч) вызывает обратимые изменения обратного тока, составляющие 10 А[17]. [c.89] Характер воздействия облучения электронами и протонами на германиевые и кремниевые диоды аналогичен нейтронному [16]. [c.89] Вернуться к основной статье