ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Фотоэлементы и фотосопротивления из "Материалы в радиоэлектронике " Кроме точечных, выпускаются плоскостные германиевые и кремниевые диоды на прямые токи до 400 ма и амплитуды обратных напряжений до 400 в. Отдельные виды плоскостных диодов позволяют получать выпрямленные токи до 50 а при амплитуде обратного напряжения 50—100 в. У диодов с принудительным охлаждением прямые токи достигают сотен ампер. [c.305] Возможность применения полупроводников для усиления и генерирования колебаний была открыта сотрудником Нижегородской радиолаборатории имени В. И. Ленина О. В. Лосевым в 1922 г. Он назвал свой прибор кристадином. [c.305] Недостаточная изученность свойств полупроводников привела к тому, что до последнего времени техническое применение имели только электронные лампы. Дальнейшие исследования механизма проводимости полупроводников позволили американским исследователям Бардину и Браттейну в 1948 г. разработать полупроводниковые триоды несколько позже были созданы кристаллические тетроды. [c.305] Полупроводниковые триоды не имеют цепей накала, они вступают в работу сразу после включения, собственное потребление энергии их очень мало, они не нуждаются в создании вакуума, очень легки и отличаются высокой устойчивостью к вибрациям. [c.305] К недостаткам германиевых триодов относится большая зависимость их характеристик от температуры. Кремниевые же триоды могут работать при более высоких температурах. [c.305] Германиевый триод представляет собой пластину полупроводника, в которой между двумя областями с однотипной проводимостью находится область проводимости противоположного типа. От этих трех областей сделаны три вывода триода, получившие следующие названия в литературе вход (э м и т т е р), выход (коллектор) и общий электрод (база). Током в цепи коллектора можно управлять, изменяя напряжение в цепи эмиттера, т. е. создавать явление, аналогичное зависимости анодного тока трехэлектродной лампы от напряжения на сетке. Однако входное сопротивление кристаллических триодов, как правило, в 100 и более раз меньше выходного (цепи нагрузки), т. е. обратно соотношениям в обычных электронных лампах. [c.305] В настоящее время известно несколько видов полупроводниковых триодов, основными из которых являются плоскостные триоды ( — р — п или р — п — р). [c.305] Отечественной промышленностью выпускаются триоды различнык типов мощностью от десятков милливатт до нескольких ватт. Рабочая частота триодов доходит до десятков мегагерц. [c.307] Внешний вид плоскостных полупроводниковых триодов показан на рис. 178. [c.307] Наличие падающего участка вольт-амперной характеристики германиевых детекторов (участок — г на рис. 173) и сложный механизм электропроводности германиевых триодов дают возможность использовать их в качестве генераторов высокочастотных колебаний. [c.307] Анализ различных радиотехнических схем показывает, что более 70Уо электронных ламп в самых разнообразных областях их применения может быть заменено кристаллическими диодами и триодами. [c.307] Фотоэлектрические приборы, основанные на свойствах полупроводников, можно подразделить на фотоэлементы с запирающим слоем и фотоеопротивления. [c.307] Фотоэлементы с запирающим слоем способны развивать электродвижущую силу под влиянием падающей на них лучистой энергии. [c.307] Полупроводниковые фотосопротивления изменяют величину своего электросопротивления под воздействием лучистой энергии (внутренний фотоэффект). [c.308] Фотоеопротивления могут изготовляться из различных сернистых соединений (T1S, PbS, dS, BijSe), а также из кремния и ряда других веществ. Под действием приложенного напряжения через фотосопротивление течет ток, величина которого увеличивается при освещении сопротивления, вследствие роста электропроводности, по выражению (173). [c.308] Фотоеопротивления обладают высокой чувствительностью, имеют малые габариты, достаточно стабильны с течением времени они изготовляются по простой и массовой технологии. [c.308] Как видно из рис. 181, спектральная чувствительность фотосопротивления ФС-А1 охватывает очень широкую область инфракрасной части спектра, простираясь до 3,2 мкм, а чувствительность ФС-К1 и ФС-К2 ограничена узким диапазоном длин волн от 0,4 до 0,8 мкм. Вольт-амперная характеристика ФС-А1 линейна до 20 в, причем значение тока при освещенности 120 ля составляет 30 мка. [c.309] В табл. 75 приведены размеры светочувствительной поверхности и величины темпового сопротивления ФС-А1, ФС-К1 и ФС-К2. [c.309] Чувствительность описываемых фотосопротивлений возрастает с понижением температуры. [c.309] Фотоеопротивления из сернистого таллия обладают спектральной чувствительностью, охватывающей инфракрасную область спектра они предназначены для работы при напряжениях от 30 до 60 в. [c.309] Вернуться к основной статье