ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Условия конденсации паров из "Температуроустойчивые неорганические покрытия " Кинетика и формы образования конденсатов пара определяются многими физико-химическими параметрами. [c.8] Природа и температура субстрата. 1) Если вещество А конденсируется (осаждается) на холодной поверхности тела В и диффузия практически невозможна (Л д = 0), то образуются наслоенные покрытия с четко выраженной границей раздела с субстратом. [c.8] Понятием природа субстрата охватывается состав, структура (аморфная, поликристаллическая, монокристаллическая) и каче-J iвo поверхности. Субстрат может оказывать резко ориентирующее влияние на процесс конденсации (эпитаксия), либо, напротив, оставаться нейтральным. Особенно велика роль температуры субстрата Тс в сравнении с температурой плавления конденсирующегося вещества Тал- При изучении конденсации паров простых веществ на нейтральной (аморфной) подложке замечены следующие закономерности [2]. [c.8] Осаждаемая фаза конденсируется в кристаллическом, жидком или аморфном состояниях. Механизм прямого перехода пара в кристаллическое состояние (пар- кристалл) реализуется при Те /зТпл- Если Те УзТпл, ТО первоначально образуется жидкость (пар- жидкость), которая затем кристаллизуется. При глубокой разности между этими температурами (Гс 7з7 пл) возможна конденсация пара в виде аморфной фазы. [c.8] В вакууме, равном 133- (10 — 10 ) Па[(10 — 10 ) мм рт. ст.] длина свободного пробега молекул остаточного воздуха близка к 50—500 мм. В условиях высокого вакуума число ударов испаренных атомов о поверхность на несколько порядков превышает число столкновений их в объеме между собой. [c.9] Согласно опытным данным, адсорбирующиеся остаточные газы (примеси) существенно влияют на структуру и свойства металлических конденсатов. Активными газами считаются, в частности, пары воды и кислород. Для получения высококачественных металлических конденсатов парциальные давления газообразных примесей необходимо предельно снижать. Следует учитывать также скорость конденсации и угол падения молекулярного пучка на поверхность. Эти факторы влияют на степень неравновесности пленок, анизотропию физических свойств, напряжения в пленках и т. п. [c.9] Эта формула справедлива при давлении остаточных газов не выше 0,133 Па (10 мм рт. ст.) и упругости пара не более 133 Па(1 мм рт. ст.). [c.9] Разность, температур испарителя и субстрата. Образование покрытий из паровой фазы может происходить в условиях, когда температура тела В ниже температуры тела Айв условиях равенства этих температур. [c.10] Во втором случае (изотермические условия) перенос вещества от источника А к субстрату В возможен только тогда, когда при данной температуре равновесная упругость пара над конденсатом ниже упругости пара над источником. Это состояние возникает лишь в результате диффузии атомов субстрата в наносимый слой или, наоборот, что делает состав поверхности конденсата отличным от состава источника. При таких обстоятельствах конденсированный слой непрерывно разбавляется веществом В. [c.11] Вещества, используемые для химического осаждения, содержат компоненты, которые выделяются в результате термических реак- ций на поверхности субстрата и образуют покрытие. Процесс разбивается постадийно адсорбция- образование зародышей сформирование осадка. В отличие от физического осаждения (конденсации), когда образование зародышей усиливается с понижением температуры, химическое осаждение происходит, обычно, лишь пр повышенных или высоких температурах. При этом высокая концентрация реагентов может вызвать столь большое пересыщение, что образование зародышей будет происходить и в объеме газовой фазы. Частицы вещества, сформировавшиеся в газовой фазе, падают на подложку и включаются в нормально растущий осадок. Последний процесс часто нежелателен, так как приводит к образованию неоднородных и недостаточно плотных слоев, в особенности, если они имеют неметаллическую природу. Большое значение имеет степень нагрева поверхности. Плотные окисные покрытия получаются лишь в определенных температурных интервалах осаждения. Для АЬОз эта температура близка к 1000 °С, для ВеО — к 1400 °С и т. п. Благоприятным фактором является способность субстрата катализировать образование зародышей. А в общем же, следует всегда считаться с конкуренцией между заро-дышеобразованием на поверхности субстрата и в газовой фазе. [c.11] Кинетика и механизм реакций осаждения в различных условиях подробно рассмотрены в монографии [4]. [c.11] Прямое взаимодействие газов и паров с субстратом может происходить без образования зародышей и формирования осадка. [c.11] В условиях высокой химической активности газовой среды и субстрата адсорбция непосредственно завершается диффузией адсор-. бированных атомов в глубь изделия. Изучению этих явлений посвящены многочисленные исследования теоретические основы даны в работе [5]. [c.11] Вернуться к основной статье