ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Изготовление ДОЭ методами электронно-лучевой литографии из "Методы компьютерной оптики Изд2 " Подробный аншшз факторов, влияющих на значения угла наклона 9 боковой стенки фоторезиста и ширины линии IV в проявляемом фоторезисте (см. рис. 4.18), приводится в работах [22-27]. Изучению влиян.ия на качество получающейся топологии различных факторов литографического процесса (дозы экспонирования, времени и температуры термообработки, времени и температуры в процессе проявления, а также чувствительности фоторезиста) посвящены работы [25, 27. [c.253] Анализ работ [22-27] позволяет сделать вывод, что для качественного формирования микрорельефа и соблюдения указанных параметров необходимо использование высококонтрастного резиста. [c.253] На каждой из стадий процесса действуют факторы, искажающие исходный рисунок шаблона. При экспонировании имеют место явления дифракции, преломления и отражения света, приводящие к изменению размеров элементов рисунка и размытости их краев. На этапе проявления и задубливаиия искажения размеров обусловлены набуханием слоя фоторезиста и усадкой фотомаски при тепловой обработке. При травлении, негативным фактором является боковое подтравливание под маску. Условия, в которых происходит обработка на разных стадиях, изменяются как от пластины к пластине, так и в пределах одной пластины. Это приводит к разбросу геометрических параметров элемента и его характеристик, что следует учитывать при выборе технологии изготовления ДОЭ. [c.255] Целью литографического процесса является образование фоторезистной маски, которая служит либо для локальной обработки нижележащего слоя подложки, либо сама является требуемым микрорельефом ДОЭ. В схематической форме сечение участка микрорельефа одного периода или зоны ДОЭ показано на рис. 4.18. [c.255] В большинстве случаев предпочтительной является резистная маска, у которой наклон боковых стенок близок к вертикальному. Обычно принимают, что относительная ошибка ширины линии в резистной маске не должна превышать 10%. [c.256] Для получения ступенчатого многоуровневого микрорельефа ДОЭ методами литографии используются два способа травления подложек линейный — равномерное травление субстрата подложки 15] дихотомический — неравномерное (степенное) травление [30 . Линейный способ создания ступенчатого микрорельефа характеризуется тем, что все уровни рельефа получаются травлением субстрата подложки на одну величину кд = к тж/М. Количество масок в наборе определяется количеством уровней квантования фазы М, но, поскольку первый уровень соответствует нетронутой плоскости субстрата подложки (рис. 4.20), количество масок получается на одну меньше, чем число уровней квантования фазы, т.е. М — 1. [c.256] С точки зрения оценки реализуемости ДОЭ по технологии фотолитографии существует несколвко параметров, характеризующих как сам ДОЭ, так и процесс его синтеза. [c.259] Параметры ДОЭ выбирают с таким расчетом, чтобы выполнялся принцип реализуемости и максимальной эффективности ДОЭ. Технология изготовления ДОЭ, базирующаяся на фотолитографии, может быть представлена в виде следующей последовательности операщш. [c.259] ДОЭ формируется путем многократного нанесения фоторезистивных слоев (слой на оюй), прошедших этапы засветки через соответствующий фотошаблон и все процессы обработки [31]. [c.259] Профилограмма изготовленного 8-ми уровневого микрорельефа представлена на рис. 4.24. Профмлограмма свидетельствует о высоком качестве микрорельефа, при сравнительно простой технологии его получения. [c.260] Использовавшийся формат данных позволяет наглядщо представить конечный результат синтеза полутонового фотошаблона ДОЭ (рис. 4.25). [c.261] Дня записи бифокальной линзы использовался одномерный массив, вырезанный вдоль линии, проходящей через центр элемента. Расчетные параметры бифокальной линзы следующие диаметр линзы — 10 мм, фокусные расстояния, первое и второе — 50 и 100 мм соответственно, количество уровней фазы — 40. Запись производилась по метод . симметричных ДОЭ с минимальным радиальным смещением 0,75 мкм при эффективном размере пятна — 0,9 мкм. [c.261] Принципиальным отличием электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) от традиционной оптической (фотолитографии) является использование в качестве инициаторов физико-химических процессов в резисте высокоэнергетжческих электронов [36]. Учитывая дифракционные ограничения фотолитографии в сочетании с известными квантово-механическими представлениями о движении микрочастиц, можно утверждать о существенных преимуществах ЭЛЛ в части разрешающей способности технологии создания топологических рисунков. [c.262] Вернуться к основной статье