ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Экспонирование и проявление пленок фоторезиста из "Методы компьютерной оптики Изд2 " Для дальнейшей работы фотошаблоны ДОЭ с пленки переводят на стеклянные металлизированные пластинки, покрытые, например, тонким слоем хрома, в результате чего изображение получается более контрастным (рис. 4.7), и на металлизированные шаблоны, пригодные для процесса фотолитографии с многократным экспонированием и совмещением. [c.244] Поскольку большинство ДОЭ имеет сложную топологию, большое внимание уделяется точности отображения линии. На рис, 4.8 представлены фрагменты фотошаблонов, выведенных на различных записываюнщх устройствах. [c.245] Шаблоны ДОЭ, обладающие осевой симметрей, записываются экспонированием внутренней и внешней границ линии путем кротового сканирования и заполнением внутренней части линии сканированием по спирали. Для аксиальных фотошаблонов, записанных на круговой лазерной записывающей системе, характерны отсутствие биений краев линий и великолепная точность отображения линий как по ширине, так и по месту расположения (рис. 4.11). [c.246] Для записи ДОЭ с произвольной структурой используется программное обеспечение, преобразующее прямоугольную систему координат в полярную для модуляции записывающего лазерного пучка в зависимости от углового положения. Пространственное разрешение записываемых структур превышает 1000 мм при записи, как кольцевых структур, так и произвольных микроизображениж. В качестве светочувствительного материала используются фоторезист или тонкие пленки аморфного хрома и аморфного кремния [21]. Например, на данной установке были записаны бинарные фотошаблоны растра микролинз. Фрагмент микрорельефа на стеклянной подложке, где соединяются четыре линзы растра микролинз, показан на рис. 4.12. [c.246] Однако, параметры существующих лазерных генераторов изображений таковы, что для изготовления элементов видимого и даже ближнего ИК диапазонов необходимо использование фотоуменьшительпой техники или записывающих устройств с более высоким разрешением. [c.246] Как правило, ЭЛГ используются для получения бинарных масок, однако имеется возможность получить и многоградационные изображения. Размеры поля пикселов Лщ X 10 . ЭЛГ (в отличие от фотопостроителя) дает амплитудную маску ДОЭ на специальном резисте. [c.247] Это соотношение можно применять для оценки минимальной ширины линии произвольных ДОЭ, осуш,ествляюшцх фокусировку. [c.248] Например, для Aspot = Ю мкм Аз ер = Ю мкм Л = 0,5 мкм и 8-ми уровне-вого ступенчатого микрорельефа минимальное реализуемое отношение фокусного расстояния к диаметру й становится равным 320, т.е. для линзы с апертурой диаметром 10 мм фокусное расстояние не может быть меньше, чем 3200 мм. Ясно, что при таких условиях, без дополнительных мер, например, фотоуменъшения масок, невозможно создать используемый на практике ДОЭ видимого диапазона. Однако для ДОЭ среднего ИК диапазона (Л = 10,6 мкм) с апертурой диаметром 40 мм фокусное расстояние может быть равным или большим 600 мм, что соответствует практическим требованиям ряда задач. [c.248] Миш1мальный размер характеристических элементов (в дальнейшем просто минимальный элемент) является одной из важнейших характеристик шаблона. Для Х-У координатных генераторов изображений [18] размеры минимальных элементов у шаблонов, имеющих линейный и концентрический рисунок, могут существенно раз.пичаться. Для линейной решетки или цилиндрической линзы минимальная ширина линии может быть равна размеру записывающего пятна. Изогнутые линии на таких генераторах получают набором отрезков или точек. Важным параметром, характеризующим набор масок ДОЭ, также является совпадение минимальных элементов (линий), необходимое для совмещения масок из набора. Оба эти параметра (минимальная ширина линии и совпадение минимальных элементов на масках набора) имеют одинаковое влияние на технологический процесс. Правильное определение минимального элемента важно для поддержания необходимой величины экспозиции, ири которой отрабатываются все линии структуры ДОЭ. Кроме того, большой разброс минимальных элементов в наборе масок одного ДОЭ заставляет менять диапазон настроек экспозиции при переходе от одной маски к другой. [c.248] Для процесса фотолитографии при экспонировании (засветке) и совмещении необходимо, чтобы используемые шаблоны с изображением рельефа ДОЭ имели достаточно жесткую поверхность рабочего маскирующего слоя. Маскирующий слой должен иметь минимальную толщину для устранения теневого эффекта на границе светлых и темных линий. Плоскостность поверхности шаблона должна обеспетавать паи лучший контакт по всей поверхности шаблона и подложки. [c.249] Точность позиционирования шаблона, определяющая качество совмещения двух или более уровней из набора шаблонов, обычно характеризуют погрешностью совмещения. Она зависит от точностных параметров и стабильности генератора изображений, обеспечивающего максимальную линейность в изображении прямой линии и иерпевдикулярность сетки. [c.249] Вернуться к основной статье