ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Металлопленочные и металлоокисные резисторы из "Химия и радиоматериалы " В Советском Союзе выпускают металлопленочные резисторы следующих типов МТ, ОМЛТ, МЛТ, МУН, МГП. [c.326] Резисторы типа МТ характеризуются повышенной нагревостойкостью, механической прочностью, защищаются эмалью. [c.326] Резисторы типа ОМЛТ — повышенной надежности. [c.326] Резисторы типа МЛТ — нагревостойкие. [c.326] Резисторы типа МГЦ — герметизированные, прецизионные. [c.326] Основные параметры металлопленочных резисторов приведены в табл. 8.5. [c.326] Температурный коэффициент сопротивления резисторов этого типа ТКл ( 0,0007)—( 0,0012) град в интервале от—60 до+120° С. [c.326] Характерной особенностью металлопленочных резисторов в отличие от углеродистых является то, что они могут иметь как положительный, так и отрицательный ТК/ . [c.326] Из этой группы наибольшее распространение получили резисторы со слоем сопротивления из двуокиси олова, который получается либо путем термического разложения хлористого олова при t = 450° С и осаждается на стеклянные основания в виде конденсирующихся паров. Другим способом раствор четырех.хлористого олова наносится пульверизацией на горячее основание t = 500—550° С), при этом образуется соляная кислота НС1 и двуокись олова SnOg. Пары соляной кислоты удаляются вентиляцией, а двуокись олова остается на поверхности стекла. [c.327] Эти резисторы по своим свойствам близки к металлопленочным резисторам. [c.327] Переменные металлоокисные резисторы (типа СП262) обладают повышенной термо- и влагостойкостью, достаточной механической прочностью, хотя они и не имеют широкого распространения. [c.327] Хотя основными методами осаждения пленок в пленочных резисторах являются методы термического и катодного распыления, все же в микроминиатюрной технике применяют методы получения пленок химическим осаждением, электрохимическим разложением при воздействии электронного луча, осаждением в плазме. Использование электронных и ионных пучков в микроэлектронике открывает возможность изготовлять изделия очень малых размеров. Кроме того, способ осаждения веществ с помощью ионного луча, управляемого магнитным полем, допускает автоматизацию технологии изготовления микросхем, в частности резисторов. [c.328] Для подложек в микросхемах используют стекло, кварц, керамику, ситаллы. Все эти материалы не должны содержать ионов щелочных металлов. Шероховатость поверхности подложек не должна превышать 300—1000 А. [c.328] Наиболее применяемые металлы в тонкопленочных схемах титан, хром, тантал, рений, вольфрам, нихром. Металлопленочные резисторы из нихрома и тантала на стекле обладают высокой надежностью, стабильностью и малым значением ТК. [c.328] Тонкопленочныерезисторы из вольфрама и рения характеризуются высокой термостабильностью и стойкостью к окислению. ТК = 1 X хЮ- град . [c.328] Вернуться к основной статье