ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Чувствительность проходных преобразователей к дефектам изделий из "Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий " Модуль С/ максимален при Я, 2. Это означает, что относительная чувствительность к параметрам цилиндра максимальна также ири Я 2. [c.116] На рис. 22, б приведены годографы третьей гармоники f/g (гд, Я ) для тех же сталей. Модуль 3 имеет максимум также ирп Я 2. Анализ результатов, полученных расчетами па ЦВМ и подтвержденных экспериментально, показывает, что относительная чувствительность проходного преобразователя к отклонениям режима термообработки стальных деталей ио третьей гармонике превышает чувствительность по первой гармонике в 1,5—2 раза. Относительная чувствительность возрастает с уменьшением Абсолютная чувствительность, пропорциональная Uo, убываете уменьшением поскольку напряжение Uo пропорционально частоте. [c.116] Чувствительность проходного преобразователя к дефектам определяется многими факторами параметрами дефекта, значением обобщенного параметра контроля х, формой объекта, параметрами преобразователя, током возбуждения (для ферромагнитных материалов) и положением объекта в нем. [c.117] Проходные преобразователи чаще всего используют для дефектоскопии протяженных объектов, особенно объектов цилиндрической формы. Для прутков, проволоки, труб и других объектов круглого сечения, получаемых прокаткой плп волоченпем, наиболее характерны узкие продольные дефекты (тре щины, закаты, волосовины, риски и т. д.). Они оказывают такое же влияние на преобразователь, как бесконечно узкий и бесконечно длинный разрез глубиной к, направленный в глубь цилиндра по радиусу (рис. 23, дефект типа А). На рпс. 24, а представлена диаграмма зависимости относительной комплексной величины приращения напряжения измерительной обмотки проходного трансформаторного преобразователя от глубины поверхностного дефекта й (/г выражена в долях диаметра цилиндра) для различных значений обобщенного параметра 3 . Диаграмма справедлива для неферромагнитного бесконечно длинного цилиндра при коэффициенте заполнения = 1. На рис 24, б приведен соответствую щип график для модуля АС/. [c.117] Зависимость Ai7 от относительной глубины залегания дефекта под поверхностью б = 6/2Л (рис. 23, дефект типа В), показанная рпс. 26, а, построена для = 15 С увеличением б убывает модуль Д[/ и значительно изменяет ся его аргумент. При увеличении Л от О до 0,1 arg ДС7 изменяется приблизительно на 90°. Это необходимо учитывать при реализации амплитудно-фазового способа выделения информации. На рис. 26, б показано, что чувствительность к дефектам резко убывает ири увеличении 6, п тем резче, чем больше х . Из этого следует, что для обнаружения подповерхностных дефектов следует выбирать режим контроля, соответствующий значениям 5. [c.118] Зависимость модуля вектора сигнала преобразователя от относительной длины дефекта = I Ra цилиндрического объекта показана на рис. 27. [c.118] На рис. 29 ириведены диаграммы, построенные для не- 0,04 ферромагнитного прутка кпад-ратного сечения с узким поверхностным дефектом тппа А (см. рис. 28). Глубина дефекта выражена в долях стороны квадрата Ъ. Для поверхностных дефектов типа В и подповерхностных типа С (см, рис. [c.119] Влияние дефектов типа А п С в трубах (рис 30) на сигналы преобразователя отражено на диаграммах (рис. 32), полученных на ртутных моделях и подтвержденных прп моделировании на электрических сетках [10, 12]. Диаграммы построены для х = 5 15 и 50 и четырех относптельных значений толщины стенка трубы Г =0,5 ( 2 — 1)/2С2 = 0,165 0,13 0,1 и 0,065. [c.119] Глубина дефектов выражена в долях толщины стенки Т. Влияние глубины залегания б дефекта показано штриховыми линиями. На рис. 31 сплошной линией дан график завпсп.мости относительного сигнала Д[/, от глубины hJ. поверхностного дефекта (типа А) в трубе с толщиной стенкп Г = 0,13 при = = 15. Для сравнения штриховой линией показана кривая, полученная для по верхностного дефекта в сплошном круговом цилиндре при х = х. [c.119] Влияние дефектов в протяженных объектах сложного профиля (биметал лические цилиндры, трубы сложного профиля и др.) на сигналы преобразователя существенно не отличается от рассмотренного выше. Это справедливо для внутренних и экранных преобразователей. [c.119] Вернуться к основной статье