ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Связь магнитных полей нарушений сплошности с их геометрическими параметрами и магнитными свойствами материалов из "Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий " Магнитопорошковый иетод позволяет обнаруживать поверхностные и подповерхностные дефекты типа волосовин, трещин (закалочных, усталостных, шлифовочных, сварочных, литейных, штамповочных и т, п.), расслоений, фло-кенов, заковов, закатов, непроваров стыковых сварных соединений, надрывов и т. п. Подповерхностные дефекты на глубине примерно до 100 мкм могут быть обнаружены практически при такой же высокой чувствительности, что и поверхностные дефекты. При большем расстоянии от поверхности ) о дефекта (2—3 мм) могут быть обнаружены более грубые дефекты, чем при выявлении поверхностных нарушений сплошности. [c.30] Магнитографическим методом обнаруживают как поверхностные дефекты при примерно равной с магнитопорошковым методом чу вствительности, так и глубинные при расстояниях от поверхности до 20—25 мм. Выявляют дефекты типа трещин, непроваров, шлаковых включений, цепочек и скоплений пор, подрезов, прижогов и т. п. [c.30] Эти методы различаются тем, что мапштопорошковый является более универсальным и пригоден для контроля деталей практически любых форм и размеров, в то время как магнитографический наиболее пригоден для проверки деталей относительно простой формы (цилиндров, труб, листов, брусков и т. п.). [c.30] Одной из центральных задач. магнитной дефектосконии является определение зависимости магнитных полей дефектов от их геометрических размеров и магнитных характеристик. [c.30] Некоторые типы рассматриваемых дефектов п нх расположение в декартовой системе координат показаны на рис. 18. [c.31] Общими геометрическими размерами дефектов являются глубина к н ширина 26. [c.31] Дефекты считаются симметрично расположенными в декартовой системе координат относительно оси у ось х проходит через верхнюю грань дефекта. [c.31] В выражения, описывающие поле дефекта, входят принятые геометрические параметры к VI Ъ, плотность магнитных зарядов и координаты точек наблюдения х и у. [c.31] На рис, 20 показано изменение нормальной составляющей напряженности поля дефекта прямоугольного сечения и ев производных по координате х, когда ширина раскрытия равна 0,1 i/o. а глубина дефекта принимает последовательно значения 0,1 i/o (7) 0,5 i/o (2) 0,7 i/o (5) li/o 4) (i/g ордината точки наблюдения). [c.34] Анализ показывает, что невозможно объективно определить геометрический размер дефекта по амплитуде сигнала входного преобразователя, так как последняя зависит не только от его глубины, но и от ширины раскрытия. В то же время наблюдается некоторое соответствие между шириной раскрытия дефекта п изменением нормальной составляющей поля рассеяния и ее производных по координате х. По длительности сигнала в первом приближении можно установить, к какому диапазону ширины раскрытия принадлежит дефект, к затем по амплитуде сигнала примерно оценить глубину дефекта данного класса. Для такой оценки целесообразно пользоваться эталонами дефектов различного типа в сталях контролируемой марки. По приведенным выше формулам можно определить зависимость магнитного поля дефектов от его геометретеских размеров, когда поверхностная плотность зарядов — постоянная величина. Абсолютное значение напряженности и градиента магнитного ноля находится в прямой зависимости от Магнитные заряды образуются не только на гранях дефекта, но и в прилегающих к ним областях. Б углах дефектов плотность магнитных зарядов повышена. В расчетах абсолютных значений напряженности магнитных полей дефектов следует использовать среднее значение о , полученное предварительно путем эксперимента на увеличенных моделях дефектов из испытуемого материала. [c.36] Напряженность поля дефектов определяется не только его размерами, формой и расположением, но и магнитными характеристиками материала, а именно индукцией дифференциальной и нормальной магнитными проницаемостями в магнитном состоянии соответствующем режиму контроля. Чем выше индукция материала и меньше нормальная и дифференциальная магнитные проницаемости, тем больше напряженность магнитного ноля дефекта нри прочих равных условиях [21]. [c.36] Зависимость напряженности поля дефекта от магнитных свойств материала рассмотрим на следующем примере. [c.36] На рис, 26 приведены аналогичные кривые зависимости отношения напряженности поля дефекта на поверхности [13Д0ЛИЯ к индукции для дефекта в виде прорези, составляющей 10% от толщины изделия и находящейся на внутренней поверхности изделия или обратной стороне листа (пластины). Кривые построены в основном для магнитографического контроля. [c.38] При расчетах режимов контроля магнитографическим. методом Ну = 5000 А/м на расстоянии г/ = 25 50 мкм от поверхности изделия. [c.38] Вернуться к основной статье