ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Термодинамика растворения кристаллов из "Физико-химическая кристаллография " Возникновение ямок травления на поверхности кристалла можно рассматривать как процесс образования зародыщей (образование вакансионных зародыщей). [c.403] Для расчета свободной энтальпии образования одного вакансионного зародыша АО используем модель, приведенную на рис. 15.8. Здесь изображена схематично ямка травления атомной глубины (двухмерный вакансионный зародыш) в виде цилиндра с радиусом г и высотой/1 на идеальной поверхности кристалла и на поверхности, нарушенной винтовой дислокацией. Для обоих вакансионных зародышей необходимо подсчитать работу их образования. [c.404] Вернуться к основной статье