ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Рост кристаллов и адсорбция из "Физико-химическая кристаллография " В табл. 13.5 сопоставлены кристаллы, которые изменяют свой вид в присутствии растворителей и сораство-ренных веществ. Благодаря избирательной адсорбции примесных ионов и молекул наступают также изменения габитуса вследствие больших различий в относительных скоростях перемещения граней. Таким образом возникают кристаллы с кубическим, иглообразным или пластинчатым габитусом. В табл. 13.6 представлены кристаллы, которые под влиянием растворителя изменяют габитус. [c.326] Эффективность влияния различных растворителей и поверхностно-активных веществ на рост кристаллов можно качественно объяснить понижением межфазной энергии за счет избирательной адсорбции, согласно уравнению Шищковского (12.32), но количественное выражение этой зависимости пока еще неизвестно. Уравнение Шищковского принципиально предоставляет такую возможность, однако содержащиеся в нем константы, особенно теплоту адсорбции Еа с, определить невозможно (за исключением нескольких модельных систем). [c.326] Фг— работа отделения ближайших частиц кристалла. [c.328] При адсорбции наименьшей скоростью перемещения будут обладать те грани, которые больше покрыты адатомами. Такие грани будут вести себя как наиболее стабильные и определяют форму равновесного многогранника. [c.329] Вернуться к основной статье