ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Диффузия и реальная структура из "Физико-химическая кристаллография " На диффузию оказывают влияние не только группировки дислокаций, как это имеет место па границах зерен, но и отдельные дислокации. Можно ожидать взаимодействий между определенными дефектами структуры и диффундирующими атомами примеси. В зоне вдвинутой плоскости кристаллической решетки (случай краевой дислокации) решетка находится в состоянии избыточного гидростатического давления, тогда как с противоположной стороны плоскости скольжения имеется гидростатическое разрежение. Если кристалл находится при достаточно высоких температурах, когда подвижность элементов решетки довольно велика, атомы примеси с большим атомным радиусом, чем у атомов основного кристалла, перемещаются в область гидростатического разрежения, потому что благодаря этому достигается самое благоприятное распределение напряжений (рис. 11.6). [c.246] Одиночные дислокации и скопления дислокаций в галогенидах серебра могут быть декорированы и обнаружены путем выделения серебра в результате освещения. В табл. 11.5 приведены различные методы декорирования кристаллов. [c.250] Вернуться к основной статье