ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Тепловые дефекты в бинарных кристаллах из "Физика твердого тела " В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93] Таким образом, даже в простейших бинарных соединениях состав дефектов значительно сложнее, чем в элементарных кристаллах. Количество различных дефектов в бинарных кристаллах становится еще большим, если имеются примесные атомы и существует возможность комплексообразования. [c.93] Предположим, что в кристалле бинарного соединения АВ нет примесных атомов и имеется riiA междоузельных атомов в подрешетке Л, Пгв междоузельных атомов в подрешетке В и соответственно ПуА И Пчв вакансий. [c.93] Здесь E A, Ем А, EiB, ув —энергии образования междоузельных атомов и вакансий в подрешетках Л и В N а а Nb — концентрации атомов в каждой подрешетке. Формулы (3.27) и (3.28) получены без учета изменения термической энтропии, связанного с изменением частот колебаний атомов при возникновении дефектов. [c.94] Простейший такой центр — f-центр , изо- бражен на рис. 3.6. Он представляет собой анионную вакансию, которая, имея эффективный положительный заряд, удерживает при себе свободный электрон. Этот электрон может появиться в кристалле, например, в результате ионизации избыточного атома щелочного металла. Такой f-центр вызывает появление полос поглощения в видимой области спектра. В результате этого бесцветный щелочно-галоидный кристалл становится окрашенным. [c.94] Точечные дефекты в ионных кристаллах оказывают большое влияние на электропроводность. Электропроводность щелочно-галоидных кристаллов обусловлена движением заряженных точечных дефектов — вакансий, междоузельных собственных или примесных ионов. Поэтому ее называют ионной проводимостью. Изучение ионной проводимости позволяет получать информацию о концентрации и состоянии точечных дефектов. [c.94] Вернуться к основной статье