Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама
Механизм возникновения термодинамически равновесных точечных дефектов впервые был предложен Я. И. Френкелем. Введенные им представления просты и наглядны.

ПОИСК



Тепловые точечные дефекты

из "Физика твердого тела "

Механизм возникновения термодинамически равновесных точечных дефектов впервые был предложен Я. И. Френкелем. Введенные им представления просты и наглядны. [c.86]
В ГЦК-решетке они занимают весьма тесные тетраэдрические междоузлия типа (1/4, 1/4, 1/4) или несколько более просторные октаэдрические типа (1/2, 1/2, 1/2) (рис. 3.2). [c.87]
В объемно-центрированной кубической (ОЦК) решетке имеются междоузлия с тетраэдрической симметрией типа (1/2, 1/4, 0), а также несколько менее просторные междоузлия типа (1/2, 1/2, 0) и эквивалентные им междоузлия типа (1/2, О, 0) (рис. 3.3). [c.87]
Полупроводники со структурой алмаза, вюрцита, цинковой обманки и близких к ним являются относительно рыхлыми. Они содержат большие межатомные пустоты, в которых могут легко раз-меш,аться междоузельные атомы. Междоузлия в структуре алмаза имеют тетраэдрическое окружение. Их расположение иллюстрируется рис. 3.4. [c.87]
По возможности размещения междоузельных атомов структуры с ионной связью занимают промежуточное положение между плот-ноупакованными металлами и полупроводниками с ковалентной связью. Несмотря на то что геометрия решетки оставляет для них некоторое пространство, ионы часто сильно различаются по объему и в результате упаковка получается довольно-таки плотной. Поэтому вероятность появления междоузельных атомов в ионных соединениях сильно изменяется от одного веш,ества к другому. [c.87]
Кроме парных дефектов, по Френкелю, в кристаллах имеются и одиночные точечные дефекты — вакансии, впервые рассмотренные В. Шоттки (рис. 3.5). [c.87]
Дефекты по Шоттки обычно встречаются в кристаллах с плотной упаковкой атомов, где образование междоузельных атомов затруднено и энергетически невыгодно. Процесс образования дефектов в таком кристалле может происходить следующим образом. Некоторые атомы из приповерхностного слоя в результате теплового движения могут оказаться в состоянии частичной диссоциа-. [c.87]
Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]


Вернуться к основной статье

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте