ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Стекание зарядов за счет туннельного эффекта из "Адгезия пленок и покрытий " Стекание заряда за счет туннельного эффекта. Помимо поверхностной проводимости стекание заряда может происходить за счет туннельного эффекта. Туннельный эффект заключается в просачивании электронов и других частиц сквозь потенциальный барьер. Он проявляется при первоначальном нарушении контакта двух тел, но только в том случае, когда зазор между ними незначителен и не превышает 2 нм. Туннельный эффект характерен для адгезии металлов и полупроводников. Следствием его может быть автоэлектронная эмиссия — выход электронов с поверхности металла или полупроводника под действием сильного электрического поля, которое создается у поверхности (адгезива или субстрата). [c.135] Таким образом, для реализации туннельного эффекта обязательны следующие процессы разрыв обкладок двойного слоя и образование между ними определенного зазора, хотя и незначительного. [c.135] Толщина изменяется в пределах 10 —10 см. [c.136] Следует рассмотреть несколько случаев проявления туннельного эффекта в зависимости от соотношения между и б. Если 8, то туннельный эффект практически не влияет на адгезионную нрочность. Для случая, когда или и S одного порядка, туннельный эффект может уменьшить адгезионное взаимодействие в 5— 10 раз. [c.136] можно рассчитать адгезионную прочность при отрыве пленок в условиях изменения электрических сил под действием туннельного эффекта. [c.137] Вернуться к основной статье