ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Коэффициент преобразования из "Электроакустика " Чувствительный параметрический индуктивный элемент может иметь и замкнутый сердечник. В этом случае основной величиной, влияющей на изменение Rm, оказывается магнитная проницаемость, которая меняется при деформации сердечника %= i LlL) (Al/l) = = (А х/ц) , I — деформация сердечника, которую считаем однородной по всему сердечнику. [c.221] Эта формула справедлива, если а аг, что обычно выполняется, так как внутренние напряжения в доменах велики. Относительное изменение магнитной проницаемости. (ма—Цо)/М 0=—(32/45) X Хя/ r/(Xs(ioaP- Заменяя а через произведение модуля упругости материала Е на деформацию находим %=Ац/(цо )=—(32/45) X Хя/2 EI(ls[ioaj). [c.221] Внупренние механические напряжения Oi в доменах магнито-стрикционных кристаллов по данным рентгенографических измерений лежат в пределах 3- 5 10 Н/м . При модуле упругости 1- -2 10 Ш/м2 коэффициент преобразования находится в пределах 1604-530. Как видно из ф-лы (5.28), х велико в материалах с малыми 01, т. е. в материалах, отожженных, без наклепа или других видов остаточной деформации. Если еще иметь в виду, что ( 1о—l)/iio падает с уменьшением Ло, то материалы для пьезомагнитных датчиков следует выбирать магнитомягкими, обладающими большой начальной проницаемостью. [c.222] Некоторые магнитомягкие ферриты имеют большую величину X, составляющую несколько сотен. Однако следует иметь в виду,, что большой модуль упругости материала, составляющий l,6-f-l,8 10 Ш/м2, приводит к необходимости создавать на чувствительный элемент большие давления для получения измеримого эффекта изменения индуктивности. В самом деле, при упругой деформации тела l = o E относительное изменение индуктивности пьезочувствительного ферромагнетика при приложении давления о составит AL/L= Aii/ii) = xl = xo/E, Даже если %=10 у о должно составлять 10 Е, чтобы получить 1% изменения индуктивности, т. е. около 1,6- 1,8-10 Н/м2. Это составляет около 200 дБ по отношению к порогу слышимости. Ферритовые параметрические элементы позволяют создать надежные приемники больших переменных и квазистатических давлений. [c.222] Механизм электропроводности полупроводниковых кристаллов довольно сложен. Описание его основывается на квантовой теории твердого тела. Проводимость применяемых на практике германиевых и кремниевых легированных полупроводниковых кристаллов при обычных температурах определяется концентрацией атомов примесей. Донорные примеси отдают электроны в энергетическую дону проводимости, создавая электронную п-проводимость, а акцепторные, присоединяя электроны из валентной зоны кристалла, создают в ней вакансии — дырки и, следовательно, дырочную 5-про-ьодимость. В кристаллах, используемых в полупроводниковых при- )орах, создаются р— -переходы, т. е. граница, с одной стороны которой акцепторные примеси создают основную р-проводимость, а с другой введенные в этот кристалл тем или иным способом избыточные донорные примеси — п-проводимость. [c.223] Здесь е — заряд электрона 0 , р — коэффициенты диффузии электронов в р-полупроводнике и дырок в л-полупроводнике Пр и Рп — концентрации неосновных носителей р — диффузионные длины пробегов носителей, т. е. длины путей, которые свободно могут пройти носители с вероятностью е Ч 0,ЗЬ) к — постоянная Больцмана Т — температура. [c.223] Можно считать величину/о=еЛ фф[1 п/Ь рр+ р/1рП ] постоянной, не зависящей от деформации кристалла, хотя это, вообще говоря, не совсем точно. Как показывает более точное исследование, вклад в изменение тока из-за зависимости /о от деформации мал по сравнению с изменением, вызываемым из(менением ширины запрещенной зоны Eg, от которой зависит множитель ехр —Eg/kT . [c.224] При температуре Т=290°К, kT составит 2,5-Ю- эВ, х=60ч-100. [c.224] Вернуться к основной статье