ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Экспериментальные данные из "Синергетика конденсированной среды " Метастабильные аморфные пленки получаются быстрым охлаждением расплава или конденсацией пара на холодную подложку [182-185]. Эксперименты показывают сложность и многообразие проявлений происходящего при этом процесса кристаллизации [182-187]. При малых толщинах пленки тепло, вьщеляющееся в результате кристаллизации, успевает отводиться в термостат, и реализуется обычный механизм холодной кристаллизации [182]. При этом пленки полупроводников приобретают волнистую поверхность с гребнями, направленными перпендикулярно движению фронта кристаллизации [186]. Такой механизм реализуется при малой частоте зарождения центров кристаллизации [186, 187]. [c.206] В некоторых случаях взрывная кристаллизация может быть вызвана локальным тепловым воздействием (например, лазерным или электронным импульсом). Такой случай реализуется благодаря неустойчивости движения межфазной границы, которая возникает, когда тепло, выделяющееся под воздействием излучения, не успевает отводиться в подложку [186, 187]. Указанная неустойчивость обеспечивается нелинейной зависимостью скорости роста кристалла от температуры. Более того, возможна колебательная неустойчивость, проявляющаяся в волнистом рельефе поверхности кристаллизации, который обнаруживается при неполном течении процесса [186, 187]. [c.206] Экспериментальные данные, приведенные в п. 8.1, показывают, что картина кристаллизации ультрадисперсных аморфных материалов определяется высокой плотностью зародышей кристаллической фазы. При этом распространение фронта кристаллизации подобно образованию пер-коляционного кластера в задаче о протекании жидкости в случайной среде [103]. Образующийся кластер имеет разветвленную фрактальную структуру, характерную для агрегатов, возникающих в результате процесса, ограниченного теплопроводностью. Это приводит к заключению об иерархическом характере взрывной кристаллизации. [c.207] 2 проводится исследование условий развития тепловой неустойчивости в результате самоорганизации процессов движения фронта кристаллизации и температуропроводности, течение которых связано с разностью термодинамических потенциалов аморфного и кристаллического состояний. Оказывается, что при вьщелении тепла, превышающем критическое значение, появляется стационарное состояние, в котором скорость фронта кристаллизации приобретает аномально большие значения. Для малой толщины пленки такой режим обеспечивается внешним воздействием, а с ростом толщины до закри-тического значения теплота кристаллизации, удерживаемая в объеме пленки, становится достаточной для развития неустойчивости, которая приводит к спонтанному росту скорости фронта, наблюдаемому в эксперименте [184]. [c.207] Вернуться к основной статье