ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Спектр комбинационного рассеяния света из "Лазерная термометрия твердых тел " При изменении температуры происходит изменение частоты оптических фононов, участвующих в КР. На рис. 3.10 представлена стоксова линия комбинационного рассеяния света в алмазной пленке при разных температурах [3.74]. Облучение пленки в процессе ее роста в реакторе проводили импульсным лазером на парах меди (линии 510,6 нм и 578,2 нм), длительность импульса 15 не, мощность в импульсе 50 кВт, частота повторения 10 кГц. [c.90] Величина Го для кристалла GaN принимает значение Го 1,7 см . Для тонких пленок и объемного материала параметры выражений (3.16) и (3.17) несколько отличаются. [c.91] Для монокристаллов 81 и Се, а также сплавов Се1 а 81а получены величины йио/йв в диапазоне температур 2954-900 К [3.79]. Например, для кремния -0(0) = 529 см и ио/(1в = —0,0247 см /К, для германия г о(О) = 307 см и = —0,020 см /К. [c.91] Некоторые материалы, широко применяемые в микротехнологии, могут иметь разные концентрации и разные типы примесей, вводимых для целенаправленного изменения физических свойств. Например, в полупроводниковые монокристаллы (Si, GaAs и т.д.) примеси вводят для изменения электропроводности. Для проведения ЛТ кристаллов с разной концентрацией и разными типами электрически активных примесей необходимо знать, как влияет конкретная примесь на температурную зависимость регистрируемого сигнала, на основе которого определяется температура. Величины погрешностей, вносимых в результат измерений вследствие того, что при термометрии используются данные по оптическим свойствам кристалла, не идентичного с исследуемым по составу примесей, чаш е всего не определены. Для исключения таких погрешностей необходимы исследования температурных зависимостей оптических свойств кристаллов разного примесного состава. [c.92] В дальнейшем представляется необходимым создание базы данных, содержаш,ей температурные зависимости параметров, применяемых в лазерной термометрии твердых тел, а также оценку надежности этих зависимостей. [c.92] Вернуться к основной статье