ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Интенсивность, спектр и время высвечивания фотолюминесценции из "Лазерная термометрия твердых тел " Для полупроводника 1пР интенсивность ФЛ, возбуждаемой излучением аргонового лазера непрерывного действия на длине волны 514 нм, падает примерно в 10 раз при нагревании образца от 20 °С до 140 °С [3.64]. Синтезированы вещества, у которых интенсивность люминесценции уменьшается на 1-ЬЗ % при увеличении температуры на 1 К [3.65, 3.66]. [c.87] Для структуры, состоящей из чередующихся слоев GaAs и AlAs (по 100 слоев каждого материала) толщиной 7 нм, изменение при нагревании параметров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением полупроводникового лазера (Л = 670 нм), показано в таблице 3.7 [3.71]. [c.88] Для некоторых диэлектричских материалов максимум полосы ФЛ сдвигается при изменении температуры незначительно, поэтому для термометрии сдвиг полосы не используется (например, сдвиг максимума ФЛ при изменении температуры кристалла Ьа2028 Еи на 100 К составляет по порядку величины доли нанометра). [c.88] Вернуться к основной статье