ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Механизм люминесценции неактивированных фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений " Этой точки зрения io6 электронно-дырочной природе свечения придерживаются в настоящее время все авторы, занимающиеся исследованием люминесценции неактивированных фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов. [c.140] Что же касается интерпретации пика при —68°С, который приписывается освобождению электронов из f-центров, то ее нельзя считать достаточно обоснованной, т. к. авторы ограничились наблюдениями за изменением в процессе термовысвечивания преимущественно F-, F и l/i-полос поглощения. Полосы поглощения в инфракрасной области ими не изучались. [c.141] Гормлей и Леви 1142], исследовавшие термическое высвечивание фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра, также пришли к выводу, что свечение этих кристаллов обусловлено рекомбинацией электронов и положительных дырок и не связано с наличием в кристалле каких-либо случайных примесей. При этом авторы полагают, что люминесценция в ультрафиолетовой области обусловлена рекомбинацией свободных электронов с локализованными положительными дырками, а в видимой области, наоборот, рекомбинацией свободных положительных дырок с локализованными электронами. [c.141] Такое утверждение, однако, нельзя считать обоснованным, т. к. свободный электрон (или свободная положительная дырка) может рекомбинировать с любой локализованной положительной дыркой или локализованным электроном). Все зависит от поперечных сечений рекомбинации различных дырочных и электронных центров и от соотношения между энергиями их тепловой ионизации. Предполагается, например, что наиболее низкотемпературный пик в видимой области обусловлен освобождением положительных дырок из Ki-центров и их рекомбинацией с F-центрами. Очевидно, что одновременно положительные дырки могут рекомбинировать и с другими электронными центрами, но концентрация f-центров значительно превышает концентрацию остальных электронных центров. Поэтому вероятность встречи положительной дырки с f-цент-ром должна быть больше, чем с другими электронными центрами, вследствие чего процессы рекомбинации положительных дырок с f-центрами будут доминировать. Остальные же пики термовысвечивания как в видимой, так и в ультрафиолетовой областях спектра обусловлены преимущественно термическим освобождением электронов. [c.141] Аналогичную схему Ламбе, Клик и Декстер [234] предложили для объяснения люминесценции (краевого излучения) чистых кристаллов сернистого кадмия. В этом случае электронные и дырочные уровни захвата должны быть обусловлены микродефектами решетки основного вещества. [c.142] КС1 и КВг окрашивались при —180, — 72 н -Ь 20°С рентгеновыми лучами до одинаковой концентрации F-центров. Затем кристаллы нагревались до -Ь 20 С и определялась световая сумма, запасенная кристаллом во время рентгенизации при низкой температуре. [c.143] Аналогичная зависимость наблюдается также для KG1 и КВг. [c.143] Таким образом, при одинаковой концентрации F-центров световые суммы люминесценции кристалла зависят от температуры, при которой производится облучение кристалла рентгеновыми лучами. При этом чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем больше световая сумма люминесценции. [c.143] Последняя возникает также при комнатной температуре, но она значительно менее интенсивна. Полосы V. , V. и образуются преимущественно в интервале— 10()°С—50°С. Из перечисленных полос V g наиболее стабильна, а 1 4 наименее стабильна. При нагревании до +20°С полоса полностью исчезает, хотя в процессе нагревания несколько возрастает, по-видимому за счет V, -центров, исчезающих при более низких температурах. Полоса Vj также легче возникает при низкой температуре, хотя и существует пр i комнатной. Полоса V. образуется также при комнатной темпер-туре. В общем, чем ниже температура, при которой образуется тот или иной вид V-центров, тем меньше их термическая устойчивость. Этим и объясняется зависимость запасаемых световых сумм от температуры кристалла, при которой производится рентгенизация. [c.144] при термической обработке в атмосфере хлора интенсивность свечения возрастает. При введении в кристалл кислорода в качестве примеси имеет место, с одной стороны, полное тушение обычно наблюдаемого свечения в видимой области, с другой — исчезновение К-полос поглощения. Несомненно, что оба эти явления взаимно связаны и свидетельствуют о том, что упомянутое свечение наблюдается только в том случае, когда в кристалле помимо электронных центров окраски имеются также дырочные центры, обусловливающие F-полосы поглощения. [c.146] Необходимым условием осуществления последнего вида рекомбинации должно быть малое расстояние между локализованным электроном и локализованной положительной дыркой. Наличие подобных процессов рекомбинации следует из опытов Прингсгейма и его сотрудников 156, 57 J, показавших, что в течение некоторого времени после рентгенизации кристалла при комнатной температуре происходит его спонтанное обесцвечивание. Именно такие процессы обесцвечивания, обусловленные расположенными по соседству F- и 1/-центрами. привели к выводам о существовании двух видов f-центров, отличающихся между собой только термической стабильностью при одинаковом спектре поглощения. [c.146] В настоящее время еще невозможно с достаточной степенью достоверности установить, с какими видами дырочных центров связаны те или иные полосы свечег.ия, так как различные модели, предложенные для V-иентров, пока еще не имеют достаточных зкс-периментальных подтверждений. [c.147] Вернуться к основной статье