ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Термическое высвечивание окрашенных пеактивированных кристаллов щелочно-галоидных соединении из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений " Метод кривых термического высвечивания позволяет при помощи сравнительно простых средств изучать самые разнообразные явления, связанные с локализацией электронов на уровнях захвата. Кривые термического высвечивания, измеренные в широком температурном интервале, сразу же дают наглядное представление о полном спектре уровней захвата кристаллофосфора, о распределении электронов по этим уровням и о влиянии различных факторов как на это распределение, так и на спектр локальных уровней в целом. [c.83] Проведение параллельных оптических наблюдений за характере изменения спектра поглощения кристаллофосфора во время нагревания позволяет во многих случаях однозначно решать вопрос о том, какие уровни обусловлены дефектами кристаллической решетки основания и какие уровни связаны с введением в решетку активирующей примеси. [c.83] Кроме того, метод термовысвечивания позволяет также сравнительно просто определять значения энергии термической ионизаци различных центров захвата. Для этой цели можно пользоваться соотношениями, устанавливавшими зависимость между различным величинами, характеризующими термическое высвечивание. [c.83] Простой способ определения глубины электронных уровней захвата был предложен Рэндаллом и Уилкинсом [159, 160 J, установившими полуэмпирическим путем зависимость между Т и s. [c.83] В начальной стадии нагревания фосфора возрастает интенсивность свечения, так как с ростом температуры увеличивается вероятность термического освобождения электронов с уровней захвата. Начиная с некоторого значения температуры, дальнейшее ее повышение ведет уже к падению интенсивности свечения вследствие умень шения общего числа электронов, локализованных на уровнях захвата данной глубины. [c.83] Из последнего выражения видно, что формула е = 25/сТ , несмотря на ее привлекательную простоту, должна применяться с очень большой осторожностью. Прежде всего А зависит от р , и отнюдь не самоочевидно, что имеет совершенно одинаковое численное значение для всех кристаллофосфоров. Кроме того, Л зависит от скорости нагревания кристалла. Наконец, даже для одного и того же фосфора с системой локальных уровней различной глубины, т следовательно с несколькими пиками термовысвечивания. А может (Оказаться различным по величине для разных пиков. [c.84] Здесь Ор и бз — эффективные сечения рекомбинации электронов с центрами свечения и локализации электронов на акцепторных уровнях. [c.84] Только в случае Лз Л , выражение для Л принимает вид (31. 3). [c.84] Имеются различные экспериментальные приемы для определения р,, см. [167, 168]), но всеони весьма трудоемки. Поэтому в литературе очень часто принимают то или иное значение для исходя при этом из некоторых общих соображений. [c.85] Лущик предлагает два метода, которые по его мнению свободны от указанного недостатка. [c.86] Точность, с которой определяется А, зависит главным образом от точности, с которой известно 1пр . Для нахождения рд по одному параметру И. А. Парфианович предлагает промерять кривые термовысвечивания при разных скоростях нагрева. Таким образом, все величины, входящие в соотношение (42. 3) определяются непосредственно из опыта. Анализ ошибок показывает, что максимальная погрешность, с которой определяется е., составляет приблизительно 20%. [c.87] Антонов-Романовский [156] показал для случая кривой термического высвечивания с одним пиком, что энергия тепловой ионизации может быть определена тремя независимыми способами. [c.87] Третий способ, предложенный В. В. Антоновыы-Романовским, основан на анализе нисходящей ветви кривой термического высвечивания и применим для поздних стадий нагревания в случае, если кривая термического высвечивания состоит только из одного пика. [c.88] В работе автора, выполненной в 1941 г., был применен другой способ определения энергии термической активации локализованных электронов, отличный от изложенных выше методов. [c.88] Указанный способ определения энергии тепловой ионизации центров захвата может быть применен при неизвестном и кроме того отличается от других методов тем, что он более прост и позволяет быстро определять е без необходимости построения дополнительных графиков. [c.89] В случае нелюминесцирующих кристаллов энергия тепловой ионизации центров захвата может быть определена методом термического обесцвечивания, разработанным Ч. Б. Лущиком [1851. Метод заключается в измерении зависимости коэффициента поглощения центров захвата определенного типа от температуры кристалла при равномерном нагреве. Обычно кривая термического обесцвечивания обладает в некоторой узкой области температур резким спадом, который обусловлен уменьшением концентрации центров захвата п вследствие их термической диссоциации. [c.89] Так как в люминесцирующих кристаллах интенсивность термолюминесценции определяется зависимостью п от температуры, то теория метода термовысвечивания может быть применена с некоторыми видоизменениями также к методу термического обесцвечивания. [c.89] Вернуться к основной статье