ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Исследование локальных уровней захвата методом кривых термическою высвечивания История метода кривых термического высвечивания из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений " При вычислении N взято округленное значение т)=10 эл/квант. Аналогичное значение -ц взято также в случае Na l, хотя в действительности квантовый выход в спектральной области люминесценции Na (240 mii.) несколько больше. [c.53] Измерение коэффициента поглощения К в функции от длины волны производилось при помощи монохроматора двойного разложения и фотоэлектрического фотометра. Установка позволяла пользоваться источником света малой интенсивности и производить измерения со слабо окрашенными кристаллами, не вызывая- при этом их заметного обесцвечивания. Расположение приборов в установке схематически изображено на рис. 20, где М — монохроматор, К — кристалл, Z — счетчик фотонов, Li — лампа накаливания (12 вольт, 25 ватт), А — источник возбуждения (конденсированная искра или рентгеновская трубка), Р—фотоэлемент. La— источник света для обесцвечивания кристалла (проекционная лам--па 1000 ватт), 1 и 2 — отводы к усилителям. [c.54] Зависимость световых сумм от концентрации F -центров определялась для вспышки и фосфоресценции. [c.54] В начале затухания После затухания Уменьшение /-центров в /. [c.58] после затухания естественной фосфоресценции кристалл обесцвечивается на 5—9%. После освещения такого кристалла светом в области F-полосы наблюдается вторичная фосфоресценция, которая может быть многократно воспроизведена действием света вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Но при этом интегральная световая сумма не превышает при данной концентрации f-центров общего числа квантов, излучаемых кристаллом при непрерывном действии видимого света (вспышки) до полного обесцвечивания кристалла. [c.59] Световая сумма первичной ультрафиолетовой фосфоресценции Na l и КС1 так же линейно зависит от концентрации f-центров, как и в случае вспышки, но с другим численным значением коэффициента высвечивания, который в случае фосфоресценции составляет 1,04 10 для КС1 и 6,2 10- для Na l, т. е. в 14—-18 раз меньше, чем при вспышке. [c.59] Следовательно, в процессе первичной ультрафиолетовой фосфоресценции один квант излучаемого света приходится на 10 —10 исчезающих при этом F-центров. Если еще учесть, что первичная фосфоресценция может быть в какой-то мере обусловлена электронами, локализованными не в f-центрах, а на более мелких уровнях захвата, то эффективность свечения относительно концентрации F -центров в действительности еще меньше. [c.59] Изложенные вьв ды о существсвании двух видов F-центров, отличаюшихся между собой своей стабильностью, были сделаны автором еще в 1947 году 1120, 123, 1251. Впоследствии к аналогичным выводам пришли также и другие авторы, исследовавшие явления обесцвечивания щелочно-галоидных кристаллов в зависимости от условий образования окраски. [c.61] Далее показано, что относительная концентрация центров окраски различной стабильности сильно зависит от температуры кристалла, при которой производится облучение рентгеновыми лучами. В таблице 10 в колонках а приведены значения оптической плотности D F) в максимуме F-полосы для 4 кристаллов, рентгенизо-ванных при температурах —185, —75 и +25°С. В колонках в приведены значения D F), измеренные как в колонках а при —185°С для тех же кристаллов после их выдержки при комнатной температуре в течение одного часа. Из таблицы видно, что чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем менее стабильны образующиеся центры окраски. [c.61] Таким образом, указанные результаты свидетельствуют о наличии в кристалле таких процессов рекомбинации продуктов фотолиза, для которых отпадает необходимость промежуточной стадии — перевода электронов из f-центров в зону проводимости. [c.62] Петров [59] также полагает, что F-полоса не является однородной полосой и считает, что в спектральной области поглощения f центров имеется еще одна несколько более коротковолновая В-полоса (рис. 9). [c.62] Однако, по мнению Маркгема [140] и Зейтца [13], нет необходимости предполагать, что имеются два вида / центров, совершенно различных по структуре. Различные свойства окрашенных кристаллов, приписываемые мягким и жестким f -центрам, можно объяснить взаимодействием f-центров с другими дефектами решетки, находящимися по соседству с F-центрами. Эти авторы предполагают, что все F-центры имеют одинаковую структуру, но их окружение может быть различным. Богун все же полагает, что даже обычные F центры, расположенные по соседству с различными дефектами представляют собой самостоятельные структуры подобно М-центру, который можно рассматривать как обычный f-центр, расположенный по соседству с парой вакантных узлов противоположного знака. Что же касается данных Петрова о сложной структуре F-полосы, то Зейтц замечает, что А и В полосы, указанные Петровым, по-видимому, наблюдаются только в кристаллах Петрова, так как кроме него этих полос никто более не наблюдал. [c.62] Вернуться к основной статье