ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Особенности развития кристаллов из "Дефекты покрытий " Часто употребляется понятие наследственный рост . Этим самым подчеркивается влияние материала подложки на свойства получаемых пленок и покрытий. Однако фактически здесь мы имеем дело не с наследственностью, а с влиянием череды, так как подложка представляет собой часть среды, с которой контактирует совокупность кристаллов в процесЬе роста. [c.12] Естественно, что и закономерности отбора на разных стадиях роста могут существенно изменяться. Поэтому при анализе развития совокупности кристаллов необходимо совершенно четко представлять себе, какая стадия анализируется и какие законы Шравляют развитием на этой стадии. [c.13] Следует заметить, что линейная зависимость между N и наблюдается только в том случае, когда рост кристаллов в покрытии происходит при температуре ниже температуры начала собирательной рекристаллизации, а также когда на процесс отбора не оказывают влияния примеси и другие дефекты. Так, в покрытиях с нитевидной формой зерен 7V не зависит от А. [c.13] Несколько слов необходимо сказать и по поводу среды, в которой происходит развитие совокупности кристаллов. Как и при развитии органических форм, влияние среды на развитие неорганических форм огромно. Можно без преувеличения сказать, что среда при росте совокупностей кристаллов играет определяющую роль. Под средой в процессах роста мы будем Понимать все то, что находится вне границ растущей совокупности и может оказать влияние на закономерности ее роста. [c.13] В связи с определяющей ролью среды при росте совокупности кристаллов легко понять, почему принято характеризовать условия роста такими параметрами, как температура, концентрации веществ, питающих растущую совокупность, способ нагрева (печной, электромагнитный и т.д.). Иными словами, условия роста совокупности кристаллов принято характеризовать в основном состоянием и составом среды. Ниже будет показано, в чем недостаток такого подхода. [c.14] Возвращаясь к анализу различий в развитии органических и неорганических форм, необходимо подчеркнуть, что для первых влияние среды не всегда является определяющим фактором. Для неорганических форм среда всегда оказывается решающим фактором. Поэтому задача анализа закономерностей отбора в таких совокупностях, как совокупности кристаллов, значительно упрощается, так как требует в первую очередь учета влияния среды. [c.14] наконец, следует помнить, что в процессе развития неорганических форм каждое из последовательно возникающих состояний, отдельных форм и их совокупностей может быть охарактеризовано энергией состояния, причем всегда в процессе развития форма стремится к состоянию с наименьшей энергаей. Это общий закон, следующий из закона сохранения энергаи, и его необходимо учитывать при анализе развития неорганических форм. Энергия состояния органических форм не всегда является однозначной характеристикой их состояния, а направление развития не диктуется стремлением достичь состояния с наименьшей энергией. Это отличие двух форм также следует отнести к наиболее существенным и принципиальным. [c.14] В недавно вышедшей монографии [45] сформулированы основные поняшя и определения, касающиеся эволюционного развития. Авторы этой книги ввели понятие фактора эволюции, под которым они понимают ... любую часть (сторону, компонент, элемент) субстрата, условий и движущей силы эволюций, выделяемую в процессе их излучения . Причиной эволюции является взаимодействие всех факторов эволюции. [c.14] Таким образом, основной задачей анализа эволюционного процесса является выделение главных факторов эволюции, тех, без которых не может быть осуществлена детерминация процесса эволюции. Эта задача далеко не тривиальна и требует не только конкретных знаний, но и интуиции. [c.15] В биологии известны только три фактора эволюции среда, наследственность и отбор. Причинами же эволюции являются борьба за существование и естественный отбор [45, с. 27, 44]. Для переноса эволюционных представлений на процессы и закономерности роста совокупностей кристаллов необходимо в первую очередь проанализировать, действуют ли указанные факторы эволюции в растущей совокупности кристаллов. Представляется вполне естественным, что среда и отбор как факторы эволюции должны действовать и в рассматриваемом случае. Что же касается наследственности, то в этом смысле, как это понимается в биологии, она не может использоваться применительно к кристаллам. При росте кристаллов не происходит передачи признаков из одного поколения в другое. Каждое следующее поколение совокупности кристаллов (вновь образуемая совокупность) приобретает их заново. Безусловно, т кие признаки, как, например, кристаллическая структура, параметр решетки и т.п., сохраняются в разных совокупностях. Однако они не передаются, а именно сохраняются как признак не совокупности, а материала. В результате развитие совокупносга кристаллов происходит в условиях отсутствия наследственности как фактора эволюции. Тем не менее в литературе часто употребляется понятие наследственного роста при этом понимается наследование кристаллом или совокупностью кристаллов кристаллографической ориентации материала подложки, т.е. авто- или гетероэпитаксия. В этом случае наследуется признак подложки, который не может быть отнесен к категории наследственных. [c.15] Таким образом, при росте совокупности кристаллов в качестве факторов эволюции должны рассматриваться среда и отбор. В качестве среды выступает и подложка, так как в процессе роста устанавливается динамически целостная система, состоящая из подложки, растущей совокупности кристаллов и питающей эту совокупность среды. Эпитаксия (наследственный рост) является одной из форм проявления воздс ствия среды на растущую совокупность кристаллов. [c.15] Ниже будет показано, как могут выбираться кинетические факторы отбора. Однако, прежде чем к этому перейти, напомним основные представления и понятия, которыми оперируют при анализе процессов роста кристаллов. [c.16] Вернуться к основной статье