ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Предисловие из "Дефекты покрытий " Образование поверхностной композиции сопровождается ростом кристаллов новой фазы. Среда, питающая растущие кристаллы, оказывает влияние только на кинетику их роста, а также на содержание примесных компонентов. [c.3] Развитие представлений о физических закономерностях роста больших совокупностей кристаллов ведется на основе экспериментальных данных, получаемых в условиях, когда не только не устранено влияние различного рода примесей, но и, как правило, не контролируется их содержание и элементный состав. В настоящее время мы не располагаем чистыми экспериментальными данными, за исключением данных по тонким пленкам, получаемым при остаточном давлении не более 10 Па. Однако эти данные содержат информацию только о начальных стадиях образования пленок (зарождение, коалесценция), а не о стадии роста. Поэтому о закономерностях роста в чистых условиях приходится судить на основе косвенных срображевдй, в частности экстраполяций с привлечением теоретических представлений. Подавляющее число работ, направленных на изучение различных аспектов закономерностей роста, фактически содержит информацию о закономернрстях, связанных с конкретными условиями эксперимента. Как правило, эти условия в разных работах различны и, кроме того, трудно сопоставимы. [c.3] Побочные процессы, идущие одновременно с процессом кристаллизации, существенно осложняют картину роста кристаллов это процессы рекристаллизации, фазовые превращения и массоперенос. Особенно велика их роль при высоких температурах. Фазовые превращения возможны и после прекращения образования поверхностной композиции, т.е. при охлаждении при этом происходит распад высокотемпературных и неравновесных фаз. [c.4] Разнообразие процессов и эффектов, сопутствующих кристаллизации, не позволяет построить общую логическую последовательность кристаллизации при образовании поверхностных композиций. В значительной мере это связано с тем, что для большинства процессов и эффектов отсутствует их аналитическое описание. Поэтому при анализе закономерностей кристаллизации и роста кристаллов неизбежны расчленение процессов и наблюдаемых эффектов и построение для них частных логических схем. Однако основные посылки при составлении этих схем должны быть одинаковыми. [c.4] Вернуться к основной статье