ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Среды с ориентационной нелинейностью из "Лазеры на динамических решетках " Прямозонные полупроводниковые кристаллы обладают очень высоким однофотонным поглощением при зона-зонном переходе. Поэтому необходимо очень точно подстраивать частоту излучения, чтобы потери, вносимые межзонным поглощением, не погубили процесс четырехволнового поглощения. В настоящее время в прямозонных полупроводниках наиболее часто используются процессы многофотонного, в частности двухфотоиного, поглощения, например, в кристаллах dS и dSe. При этом коэффициент поглощения определяется мощностью падающего излучения и может регулироваться за счет ее изменения. Возникающая же плазма свободных носителей по-прежнему приводит к изменению показателя преломления. [c.58] Другим классом кристаллов, в которых поглощение оказывается на приемлемом уровне, являются кристаллы с непрямозонными переходами, например кристаллы кремния. [c.58] Наряду с описанным выше механизмом изменения показателя преломления в полупроводниковых кристаллах реализуются и другие нелинейные механизмы. Во-первых, это описанный в п. 2.3.1 тепловой механизм. Другая причина изменения показателя преломления связана с переходами свободных носителей внутри зоны проводимости. За счет этих переходов реализуется тепловая нелинейность, так как возбужденный носитель, термализуясь, греет кристаллическую решетку. Другая причина заключается в непараболичности зоны. Кроме указанных механизмов, изменение показателя преломления может быть связано с рождением экситонов, особенно при низкой температуре. Наконец, отметим, что в полупроводниковых кристаллах без центра инверсии возможен и фоторефрактивный эффект, описанный в п. 2.2.5. [c.59] Вернуться к основной статье