ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Фоторефрактивные полупроводники из "Лазеры на динамических решетках " Первая экспериментальная работа, в которой отмечалось перераспределение интенсивности двух записывающих пучков, зависящее от направления полярной оси, была выполнена с использованием кристаллов dS и моноимпульсного излучения лазера на рубине [56]. [c.55] В дальнейшем фоторефрактивная голографическая запись была получена на целом ряде полупроводников [57—63], наиболее популярным из которых остается GaAs. Сообщалось о записи с использованием диффузионного механизма формирования объемного заряда [57] и с применением постоянного [61] и переменного [60,63] электрических полей. Именно в последнем случае был достигн)т рекордно большой коэффициент усиления Г 7 см [63] и впервые получено усиление (с учетом поглощения) сигнального пучка по сравнению с падающим на кристалл. Этот результат позволяет предсказать появление вырожденных по частоте оптических генераторов на полупроводниках в ближайшем будущем ). [c.55] Для записи динамических решеток в GaAs используют непрерывное излучение лазера на АИГ Nd с мощностью в десятки милливатт в пучке на длине волны 1,06 мкм. Характерные времена релаксации в таких условиях составляли 40 мс [63]. [c.55] Вернуться к основной статье