ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Связь между еегнетоэлектрическими и нелинейно. оптическими свойствами кислородно-октаэдрических сег( иетоэлектриков из "Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением " Для оценки восприимчивости материала к оптической записи вводится параметр S чувствительность, определяемая как обратная плотность падающей световой энергии, необходимой для достижения данной дифракционной эффективности. Использование параметра S в подавляющем большинстве работ оправдано простотой его определения, однако он неудобен для сравнения результатов различных опытов. Из уравнения (7.38 видно, что т] зависит от толщины образца и геометрии записи (угла 0с). Другой способ оценки восприимчивости материала состоит в определении чувствительности как отношения изменения показателя преломления к плотности световой энергии, ее вызывающей — dn/dW, которое может быть измерено по схеме, приведенной на рио. 7.11. [c.320] Обычно чистые сегнетоэлектрические кристаллы не обладают высокой чувствительностью к свету, что позволяет использовать их в электрооптике для модуляции лазерного излучения. Однако легирование переходными металлами, нарушение стехиометрии, отжиг в восстановительной атмосфере, облучение у-лучами и приложение электрического поля позволяют значительно увеличить их светочувствительность. [c.322] Первый и второй члены в (7.41) не дают вклада в дифракционную эффективность. Член, дающий в нее вклад, пропорционален (Е —Е,)АЕ в нем Е, и Е увеличиваются с увеличением плотности света. Из уравнения (7.41) видно, что Ап х), а следовательно, и дифракционная эффективность могут меняться под действием электрического поля. Рис. 7.18 демонстрирует экспериментальные результаты воздействия поля на дифракционную эффективность голограммы, записанной на пластинке из электрооптической керамики ЦТЛС (9% La), Видно, что соответствующее смещающее поле может переводить голограмму в скрытое состояние, при котором т) = О, а также увеличивать дифракционную эффективность. [c.328] Рис 7 18 Зависимости 1 — индуцированного изменения двупреломления и 2 — дифракционной эффективности ч от поля при записи на пластинке (толщина 350 мкм) керамики ЦТСЛ (9% La) [71]. [c.329] Кристаллические сегнетоэлектрини, используемые для записи голограмм, имеют ряд преимуществ перед другими материалами. Это возможность записывать объемные фазовые голограммы с высокой плотностью записи и высокой дифракционной эффективностью, причем запись может быть стерта нагреванием, импульсами интенсивного света или приложением электрического поля. Последнее обстоятельство особенно перспективно для оперативного управления памятью. Следует отметить, однако, технологичесние трудности получения оптически однородных кристаллов. [c.332] Вернуться к основной статье