ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Модульные конструкции блоков зажигания ламп накачки из "Источники питания лазеров " Для инициирования зажигания дугового газового разряда используются различные схемы зажигания, рассмотренные в гл. I. Выбор схемы зажигания определяется в основном тактико-техническими требованиями и условиями эксплуатации. При отсутствии надлежащих специальных высоковольтных кабелей, разъемов и других радиокомпонентов, а также с целью уменьшения импульсных потерь и уровня помех устройства импульсного зажигания располагают, как правило, вне источника питания в непосредственной близости от излучателя. [c.53] Одни и те же устройства импульсного зажигания можно использовать как в твердотельных, так и газовых (прежде всего ионных) излучателях. Все это дает основание разрабатывать устройства импульсного зажигания как самостоятельные конструкции. [c.53] Наиболее часто в приборах дугового разряда используются схемы последовательного импульсного зажигания. Это связано, главным образом, с конструктивными удобствами подвода импульсного зажигания газоразрядному прибору, особенно при. наличии жидкостного охлаждения баллона трубки. [c.53] На выходе блока зажигания (см. рис. 3.11) обеспечивается импульс амплитудой 40 кВ и длительностью порядка 2 мкс. Макси-иальная частота повторения импульса зажигания до 10 Гц. Подобные блоки зажигания применеяы в импульсных источниках питания лазерных технологических установок .Квант-9 и Квант40 . [c.55] К особенностям блоков зажигания типа МТ-ШЖ можно отнести оригинальную конструкцию импульсных высоковольтных трансформаторов (Тр2). На рис. 3.13,6 показан такой трансформатор. Вторичная обмотка трансформатора (выводы 3—4) намотана широкой медной левтой в виде спиральной кольцеобразной катушки из 20—25 витков. Первичная обмотка (выводы 1—2) размещена внутри вторичной и имеет один виток из медной ленты меньшего сечения. По периметру катушек наложены четыре пары П-образных ферри-товых сердечников в виде замкнутых прямоугольников 5. В качестве-межвитковой изоляции используется фторопластовая лента, которая наматывается одновременно с о-бмотками. Для усиления электрической прочности вся конструкция пропитывается и заливается эпоксидными компаундами. [c.56] Вторичная обмотка трансформаторов предназначена для включения непосредственно в сильноточный разрядный контур. В момевт разрядки накопителя к обмотке прикладывается полное напряжение и ферритовый магнитопровод быстро насыщается. В данных трансформаторах индуктивность вторичной о бмотки после асыщения сердечников имеет относительно большие значения (порядка 100 мкГ). Это позволяет для однозвенных ЬС-формирующих линий обойтись без включения дополнительных разрядных катушек индуктивности. В рассматриваемой конструкции функции импульсного трансформатора и разрядной катушки оказываются совмещенными в одном элементе, что вдвое сокращает массу и объем такого устройства по сравнению со случаем использования импульсных трансформаторов, у которых после насыщения магнитопровода индуктивность, как правило, имеет величину 10—15 мкГ. [c.56] Кольцеобразная конструкция трансформатора со спиральными ленточными обмотками позволяет широко варьировать его параметрами. Индуктивность вторичной обмотки может быть увеличена за счет выбора большего диаметра при фиксированных размерах стандартных ферритовых сердечников. Коэффициент трансформапии может устанавливаться изменением числа витков первичной обмотки. Сечение магнитопровода увеличивают за счет большего количества сердечников. Это позволяет передавать более длинные импульсы с первичной обмотки и более мощные сигналы инипиирования. [c.56] Амплитуда высоковольтных импульсов на вторичной обмотке имеет повышенные значения при одинаковых входных сигналах по сравнению с другими конструкциями трансформаторов, поскольку концентрическое расположение первичной и вторичной обмоток обеспечивает максимальный коэффициент связи и яаименьшие значения индуктивности рассеяния. Выполнение обмоток из проводников в виде широкой ленты позволяет уменьшить активное сопротивление катушки для быстроизменяющихся токов (импульсов инициирования и разрядных токов накопителя), поскольку здесь существенно ослабляется вредное влияние поверхностного эффекта. [c.56] Вернуться к основной статье