Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама
ЭПР основан на резонансном поглощении радиочастотного поля веществом, содерлсащим парамагнитные частицы (молекулы, атомы, ионы, слабо связанные с атомом электроны, обладающие постоянным магнитным моментом), при наложении статического поля Н . Квантовое, число спина электронов принимает значения т — 1/2. Переходы между этими уровнями возбуждаются переменным полем с частотой v согласно резонансному условию hv — ХвЯ , где g определяет вклады орбитального момента и спина Б магнитный момент. Для свободного электрона, не имеющего орбитального момента, g = 2,002322, а для свободного парамагнитного атома его величина определяется фактором Ланде. В общем случае g зависит от ориентации иона (или молекулы), содержащего неспаренный электрон, относительно Яц. Однако в случае идеал ной кубической структуры (например, о. ц. к.) g не зависит от ориентации кристалла.

ПОИСК



Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР)

из "Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 "

ЭПР основан на резонансном поглощении радиочастотного поля веществом, содерлсащим парамагнитные частицы (молекулы, атомы, ионы, слабо связанные с атомом электроны, обладающие постоянным магнитным моментом), при наложении статического поля Н . Квантовое, число спина электронов принимает значения т — 1/2. Переходы между этими уровнями возбуждаются переменным полем с частотой v согласно резонансному условию hv — ХвЯ , где g определяет вклады орбитального момента и спина Б магнитный момент. Для свободного электрона, не имеющего орбитального момента, g = 2,002322, а для свободного парамагнитного атома его величина определяется фактором Ланде. В общем случае g зависит от ориентации иона (или молекулы), содержащего неспаренный электрон, относительно Яц. Однако в случае идеал ной кубической структуры (например, о. ц. к.) g не зависит от ориентации кристалла. [c.187]
Для кристаллического окружения с бояее низкой симметрией S os 0 g sin О, где g j и gj, различны в зависимости от того, совпадают ли ось высшего кристалла с или перпендикулярна ему. Соотношения и g-ц необходимы при определении малых искажений симметрии решетки [13.18]. [c.187]
Характерные особенности ЭПР — тонкая и сверхтонкая структура спектра, положение и интенсивность отдельных линий которого зависит от ориентации монокристалла во внешнем поле, а также от взаимодействия между -)лектронными и ядерными магнитными моментами. [c.188]


Вернуться к основной статье

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте