ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Методы измерения термоэлектрических, гальваномагнитных и магнитоэлектрических свойств из "Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 " Ома / == уЕ, где коэффициент пропорциональности у носит название уде.чьной электрической проводимости. В изотропном металле j является скалярной величиной, в анизотропном — симметричным тензором второго ранга. Физический смысл 7 — количество электричества, которое переносится за единицу времени через единицу площади сечения проводника в электрическом поле Е единичной напряженности. [c.74] При низких температурах (Г 9д) электросопротивление увеличивается пропорционально Г , при высоких (Г 1,5 9в) — пропорционально Т. [c.75] Зависимость Блоха—Грюпайзена хорошо выполняется для простых металлов, но для переходных металлов, особенно для ферромагнитных, при низких температурах показатель степени при Т может уменьшаться до 2. При Т 1,5 0 а силу линейности температурной зависимости электросопротивления температурный коэффициент электросопротивления имеет один и тот же порядок величины и равен примерно 4.10 причем у переходных металлов он несколько больше, чем у простых. [c.75] При определении изменения р с температурой необходимо учитывать изменение сопротивления, вызванного изменением размеров проводника из-за термического расширения Ир = Ср -j--f г (1 + сСрАГ), где а - коэффициент термического расширения в интервале температур аТ (9.24 ]. Для ферромагнетиков вблизи температуры Кюри наблюдается аномалия температурной зависимости электросопротивления, причем прирост электросопротивления Ар пропорционален квадрату спонтанной намагниченности М [9.23]. [c.75] По мере понижения температуры электросопротивление металлов и сплавов стремится к некоторому постоянному значению — так называемому остаточному сопротивлению Ро- Оно зависит от концентрации примеси, дефектов решетки и повышается с повышением их концентрации. [c.75] Пластическая деформация повышает удельное электросопротивление на 2—6%, что связано с искажениями пространственной решетки кристалла. Увеличение концентрации вакансий и дислоцированных атомов главным образом и приводит к увеличению удельного электросопротивления. При комнатной температуре прирост сопротивления Др за счет вакансии и дислоцированных атомов составляет Арвак == (1,0-т 1,5). Ю Ом-м на 1% (ат.) вакансий Дрдвсл = (0.5 i. O)-10 Ом-м на 1% (ат.) дислоцированных атомов 9.24 J. [c.76] При образов тии твердых растворов электросопротивление растет. Максимальное значение электросопротивления в твердых растворах замещения находится, как правило, при 50% (ат.). В этих твердых растворах переходного металла в простом максимум сопротивления может соответствовать концентрации, отличной от 50% (ат.). Для разбавленных твердых растворов простых мех аллов остаточное сопротивление р , связанное с легированием, равно (правило Нордхейма) с ( — )g, где с — атомная доля растворенного вещества g.- коэффициент, характеризующий рассеивающее действие атомов примеси. [c.76] Коэффициент g в соотвегствии с правилом Линде пропорционален квадрату разностей валентности растворителя и растворенного компонента AZ и равен а Ь (AZ), где а я Ь — константы. [c.76] Температурный коэффициент электрического сопротивления твердого раствора определяется приблизительно соотношением др/д7 == Ярр (Т) -[- сСр,ро, где р ( 7 ) и схр — удельное электросопротивление и температурный коэффициент растворителя соответственно Ра и — остаточное сопротивление и его температурный коэффициент (табл. 9.4). [c.76] Аналогично коэффициент давления электросопротивления твердых растворов можно представить состоящим из двух частей, характеризующих изменение электрического сопротивления растворителя и остаточного сопротивления dp/dP — (Т) -f X X Ро, где р (Т), р — удельное электросопротивление и коэффициент давления электросопротивления растворителя ра и — остаточное сопротивление и его коэффициент давления. [c.76] В случае двухфазных структур удельное сопротивление будет зависеть от количественного соотношения фаз и их распределения, кроме того, от морфологии структуры. [c.76] Мостовые методы. Принципиальные схемы методов одинарного и двойного мостов приведены на рис. 9.27 а, б). Подбирая сопротивления Ri и одинарного моста, устанавливают равновесие токов в диагонали, тогда ( i/Rst). [c.78] Принципиальное отличие двойного моста от одинарного (рис. 9.27, б) состоит в том, что в результате введения дополнительной параллельной ветви, состоящей из сопротивлений jRi и гальванометр Г подсоединяется не между измеряемым сопротивлением и эталонным (образцовым) сопротивлением а между сопротивлениями Ri и (в точке D). На двойном мосте возможно измерение сопротивлений до 10 Ом. [c.78] Измерение электрических свойств в переменных электрических полях 19.27 ]. Для измерения активных, реактивных и комплексных сопротивлений применяют мосты переменного тока. [c.80] Для высоких частот (десятки мегагерц) применяют специальные схемы (Т-образные мосты). Преимущество таких схем — возможность заземления входной и выходной цепей, что облегчает экранировку элементов схемы. На рис. 9.29, в представлен Т-об-разный мост измерения индуктивного сопротивления. В условиях равновесия, когда I =-- 0 R (Г фС1у, L = 2j(a a. [c.80] Энергию, необходимую для отрыва электронов, можно сообщить воздействием света (фотоэффект), нагревом (термоэмиссия) или электрическим полем (холодная или автоэлектронная эмиссия). [c.81] Чистые металлы можно расположить в ряд, в котором любой последующий металл более отрицателен в термоэлектрическом смысле относительно предыдущего Si, Sb, Fe, Mo, d, W, Au, Ag, u, Zn, Rh, Ir, Те, s, Та, Sn, Pb, Mg, Al, Hg, Ft, Na, Pd, K, Ni, o, Hi. [c.81] Э ф ф е к т Т о м с о н а. Относится не к контуру, а к каждому проводнику в отдельности. Возникает в том случае, если между двумя точками проводника поддерживается постоянная разность температур и пропускается электрический ток, и проявляется в выделении или поглощении тепла между этими точками Qt = LgAT Ын АТ, где L — коэс рфидиеит Томсона Qr — выделяющееся тепло q — количество электричества I — электрический ток S — время. [c.82] Вернуться к основной статье