ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Отпечатки из закиси кремния из "Практика электронной микроскопии " В настоящее время кварцевые отпечатки вследствие указанных выше недостатков почти полностью вытесняются отпечатками и,5 закиси кремния SiO [66]. [c.56] Для получения отпечатков испаряют обычным способом из вольфрамовой спирали закись кремния, смешанную с вязким раствором коллодия так же, как это делается при испарении кварца. [c.56] Получение самой закиси кремния в лабораторных условиях может быть проведено по следующей схеме [67]. В кварцевую трубу, запаянную с одной стороны, помещают хорошо перемешанные порошки кремния и кварна высокой дисперсности для облегчения прохождения реакции. Трубу в горизонтальном положение помещают в печь, откачивают до давления не выше мм рт. ст. и нагревают до 1250° С. При нагреве образуется закись кремния в газообразном состоянии, которая конденсируется на холодных частях кварцевой трубы. В тех частях трубы, где температура стенок выше 800° С, оседает светло-коричневый порошок, которьи представляет собой смесь кремния и кварца, которая образуется, вероятно, в результате разложения SiO. В тех частях трубы, где температура более низкая, осаждается темный порошок, представляющий собой закись кремния SiO. [c.56] Однако такой способ получения закиснокремниевых отпечатков менее предпочтителен, так как для полного проведения реакции требуется значительное время. Кроме того, по существу не поддается контролю испаряемое количество закиси кремния, что вносит неопределенность в оценку толщины получающегося отпечатка. [c.57] Как показали исследования, быстро напыленная пленка закиси кремния обладает большей плотностью, а следовательно, и большей контрастностью образующегося изображения и в значительно меньшей степени подвержена окислению на воздухе, чем медленно испаряемая пленка, которая быстро окисляется на воздухе до окиси кремния ЗЮг. Но ускорять испарение с помощью повышения температуры можно только в небольших пределах (до 1200° С), поскольку известно, что скорость испарения возрастает с повышением температуры линейно, в то время как лучистая энергия, приводящая к нежелательному нагреванию образца и всей установки, возрастает пропорционально четвертой степени температуры. [c.57] Отделение закиснокремниевых отпечатков от поверхности образца производится теми же методами, что и отделение кварцевых отпечатков. [c.57] Алюминий Медь. . . Свинец. . Серебро. Цинк. . [c.57] Кроме приведенных растворителей, можно использовать метод химического или электролитического отделения закиснокремниевых отпечатков по режимам, описанным в табл. 2, в частности для железа и сталей. [c.57] На фиг. Vni приведен пример микрофотографии, полученной с помощью закиснокремниевого отпечатка. Как видно из примера, отпечаток очень хорошо разрешает тонкую структуру полос скольжения в деформированной а-латуни. [c.58] Вернуться к основной статье