ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Насыщение поглощения однородно уширенная линия из "Принципы лазеров " Ni N2 Nt/2. Таким образом, населенности двух уровней стремятся стать одинаковыми. [c.73] Отсюда следует, что мощность dP/dV)s, которая должна поглощаться системой, чтобы последняя находилась в состоянии насыщения, равна (как и ожидалось) мощности, теряемой средой вследствие релаксации верхнего уровня. [c.73] Из выражений (2.141) и (2.142) следует, что с увеличением интенсивности I насыщенного пучка коэффициент поглощения падает. Однако форма линии остается прежней, поскольку она в любом случае описывается функцией g — vo). На рис. 2.16 представлены три кривые, показывающие зависимость коэффициента поглощения а от частоты v для трех различных значений I/Is. [c.75] Если же длительность светового импульса очень мала по сравнению с временем жизни т, то можно считать, что в (2.133) член 2WIS.N, соответствующий вынужденному излучению, преобладает над членом Nt — AN)/х, соответствующим спонтанному излучению, т. е. [c.76] Заметим, что в импульсном режиме так же, как и в случае непрерывного режима, форма линии поглощения при насыщении не меняется. [c.77] Вернуться к основной статье